特色
- 差动输出
- 出色的电源抑制
- 引脚与竞争对手的设备兼容
- 消除了对串联电容器的要求
- 高功率输出
- 低功耗和电池供电应用中的功能
- 信号清晰度高，失真低
- 低功率运行
- 断电状态下的最小功耗
- 在广泛的电源范围内保持THD性能
- 最佳热性能和板空间消耗
- 最大化源灵活性
应用
- 扬声器驱动
- 桌面计算
（图片：引出线）
NCS2211DR2G
- 描述:种类: AB类 电源电压: 2.7伏~5.5伏 最大输出功率 x 通道@负载: 1.5W x 1@4欧姆 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 9.24831 | 9.24831 |
| 10+ | 7.82953 | 78.29539 |
| 30+ | 7.04133 | 211.23990 |
- 库存: 99
- 单价: ¥9.24831
-
数量:
- +
- 总计: ¥9.25
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 种类 AB类
- 输出类别 1声道（单声道）
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度（TA）
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 电源电压 2.7伏~5.5伏
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 最大输出功率 x 通道@负载 1.5W x 1@4欧姆
- 特点 关闭
NCS2211DR2G 产品详情
NCS221DR2G是一款具有差分输出和关机模式的低失真音频功率放大器。它能够向8R扬声器桥接负载（BTL）提供1W的输出功率。NCS221DR2G将在较宽的温度范围内工作，并指定用于便携式应用的单电源电压操作。它具有低失真性能，1.0W时的典型THD+N为0.2%，并具有关闭/启用功能，以延长电池寿命。关闭/启用功能将静态电流降低到最大1µA。NCS221DR2G的设计工作温度范围为-40至+85°C。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | NCS28500MTTWG | 安盛美 (onsemi) | IC BUS SWITCH 3AMP WDFN | ¥11.8068 |
 | NCS214RSQT2G | 安盛美 (onsemi) | 放大器的种类: 电流检测 电线数量: one 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装 | ¥5.36409 |
 | NCS325SN2T1G | 安盛美 (onsemi) | 放大器的种类: Zero-Drift 电线数量: one 增益带宽积: 350千赫 供应商设备包装: 5-TSOP 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥4.54008 |
 | NCS210RSQT2G | 安盛美 (onsemi) | 放大器的种类: 电流检测 电线数量: one 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装 | ¥4.0041 |
| NCS21874DTBR2G | 安盛美 (onsemi) | 放大器的种类: Zero-Drift 电线数量: four 增益带宽积: 350千赫 供应商设备包装: 14-TSSOP 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装 | ¥10.86435 |
 | NCS2325DMR2G | 安盛美 (onsemi) | 放大器的种类: Zero-Drift 电线数量: two 增益带宽积: 270千赫 供应商设备包装: 8-MSOP 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥12.81993 |
 | NCS333SN2T1G | 安盛美 (onsemi) | 放大器的种类: Zero-Drift 电线数量: one 增益带宽积: 350千赫 供应商设备包装: 5-TSOP 工作温度: -40摄氏度~105摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥4.85274 |
 | NCS6S1205C | 村田电子制作所 (Elcom) | 功率（瓦特）: 6 W 效率值: 82% 包装/外壳: 24-DIP Module (600 mil, 7 Leads) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥159.3438 |
 | NCS12D4815C | 村田电子制作所 (Elcom) | 电压输出2: -15伏 功率（瓦特）: 12 W 效率值: 85% 包装/外壳: 24-DIP Module, 9 Leads 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥220.61873 |
 | NCS3S1205SC | 村田电子制作所 (Elcom) | 功率（瓦特）: 3 W 效率值: 82% 包装/外壳: 8-DIP Module, 6 Leads 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥79.6719 |
NCS2211DR2G所属分类：音频放大器芯片，NCS2211DR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NCS2211DR2G价格参考￥9.248314，你可以下载 NCS2211DR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NCS2211DR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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