特色
- 过热保护
- 集成签名电阻器
- 外部热交换™ N沟道MOSFET可实现最低功耗和最高系统效率
- 低至9V的可编程辅助电源支持
- 可选支持非标准低压PoE
应用
无线、消费电子、便携式设备、商业、工业
(图片:引出线)
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 6.09548 | 6.09548 |
10+ | 5.93783 | 59.37838 |
30+ | 5.84325 | 175.29759 |
100+ | 5.73815 | 573.81590 |
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(图片:引出线)
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