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NUS2401SNT1G是TRANS 2NPN/1PNP PREBIAS SC74，包括NUS2401系列，它们设计为使用切割胶带（CT）替代包装包装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供了SC-74、SOT-457等包装箱功能，该设备也可以用作三重配置。此外，功率最大值为350mW，该器件提供2 NPN、1 PNP-预偏置晶体管类型，该器件具有200mA的集流器Ic最大值，集流器-发射极击穿最大值为50V，电阻器基极R1欧姆为17510k，电阻器发射极基极R2欧姆为17510K，Vce饱和最大值Ib Ic为250mV@1mA，10mA/250mV@300μa，10mA，集电极截止电流最大值为500nA，Pd功耗为350mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为50 V，晶体管极性为PNP，连续集电极电流为0.2 A，直流集电极基极增益hfe最小值为150，在PNP时，典型输入电阻为175欧姆，NPN为10千欧姆，典型电阻比为1，峰值直流集电极电流为200毫安。
NUS3045MNT1是IC OVP W/30V P-CH MOSFET DFN8，包括3~25V电压工作，它们设计用于7.08V电压钳位。数据表说明中显示了用于混合技术的技术，该技术提供了供应商设备包功能，例如，功率瓦设计用于1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作8-VDFN暴露焊盘封装盒。此外，电路数量为1，该设备在通用应用中提供。
NUS3045MNT1G是IC OVP W/30V P-CH MOSFET DFN8，包括通用应用，它们设计用于1个电路，数据表说明中显示了用于8-VDFN暴露焊盘的封装情况，该焊盘具有切割胶带（CT）等封装功能，功率瓦设计用于1W，以及供应商设备封装，该设备也可以用作混合技术技术。此外，电压钳位为7.08V，该器件提供3~25V电压工作。
