IR25750LTRPBF

国际整流器公司（International Rectifier）宣布推出一款坚固的IR25750通用电流传感IC，该IC采用超紧凑的SOT23-5L封装，可提高整体系统效率，同时为大电流应用节省大量空间。测量通过功率MOSFET或IGBT的高电流（10 A-100 A）通常需要一个大电阻器，该电阻器会产生过量的功率损耗（10 W ~ 30 W）。通过在开关导通期间提取功率MOSFET的内部RDS（ON）或IGBT的VCE（ON）两端的电压，IR25750消除了大的外部电流感测电阻器、散热片和多余的功率损耗。IR25750的栅极驱动输入向IC提供VCC电源电压，并使RDS（ON）或VCE（ON）感测电路与MOSFET或IGBT的接通和断开时间同步。利用IR专有的高压技术，该设备还具有600 V阻断能力，这是在关闭期间阻断高VDS或VCE电压所必需的。其他关键特征包括低栅极输入电容、开启时的内部滤波器延迟（典型值为200纳秒）以及gate和CS引脚上的内部20.8 V齐纳钳位。

IRFH7185TRPbF 100 V FastIRFET™ 功率MOSFET为电信应用中使用的DC-DC电源提供基准性能。该部件封装在PQFN 5x6中，提供业界最低的RDS（on）*Qg品质因数。它采用了IR新的100 V FastIRFET™ 在电源应用中提供基准性能的过程。IRFH7185是家族的第一个成员；TO-220、D2-PAK和更多PQFN将于2014年晚些时候推出。

特色

应用