与TL06x系列低功率BiFET运算放大器相比，TL03x系列JFET输入运算放大器提供了改进的直流和交流特性。偏置电压的片上齐纳微调产生低至1.5 mV（TL031A）的精度等级，以在直流耦合应用中获得更高的精度。Texas Instruments改进了BiFET工艺，优化了设计，在不增加功耗的情况下，也提高了带宽和转换速率。TL03x器件与TL06x引脚兼容，可用于升级现有电路或在新设计中实现最佳性能。
BiFET运算放大器提供JFET输入晶体管固有的更高输入阻抗，而不牺牲与双极放大器相关的输出驱动。这种更高的输入阻抗使TL3x放大器更适合与高阻抗传感器或非常低电平的交流信号连接。这些器件还具有固有的比具有类似功耗的双极或CMOS器件更好的交流响应。
TL03x系列已针对微功率操作进行了优化，同时提高了TL06x系列的性能。需要更快交流响应的设计师应考虑Excalibur TLE206x系列低功耗BiFET运算放大器。
因为BiFET运算放大器设计用于双电源，所以在单电源工作时，必须注意观察共模输入电压限制和输出摆动。需要对输入信号进行直流偏置，负载应在中间电源端接至虚拟接地节点。TI TLE2426集成虚拟接地发生器在单电源操作BiFET放大器时非常有用。
TL03x器件完全规定为±15 V和±5 V。对于低压和/或单电源系统中的操作，建议使用TI LinCMOS系列运算放大器（TLC前缀）。当从BiFET转向CMOS放大器时，应特别注意转换速率、带宽要求和输出负载。
C形密封装置的特点是在0°C至70°C的温度范围内工作。I后缀装置的特点是在40°C至85°C的温度范围内运行。M后缀装置的特点是在55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。
特色
- TL06x低功耗BiFET的直接升级
- 低功耗。6.5 mW/信道类型
- 改善直流性能的片上偏置电压微调（1.5 mV，TL031A）
- 更高的回转率和带宽，而不增加功耗
- 适用于小尺寸设计的TSSOP
