TLC27L2ACDR

TLC27L2ACDR和TLC27L7双运算放大器结合了广泛的输入偏置电压等级，具有低偏置电压漂移、高输入阻抗、极低功率和高增益。

这些器件使用德州仪器硅栅LinCMOS技术，其提供的偏置电压稳定性远远超过传统金属栅工艺的稳定性。

极高的输入阻抗、低偏置电流和低功耗使这些具有成本效益的设备成为高增益、低频率和低功耗应用的理想选择。有四种偏置电压等级（C后缀和I后缀类型），从低成本TLC27L2ACDR（10mV）到高精度TLC27L7（500μV）。这些优点与良好的共模抑制和电源电压抑制相结合，使这些器件成为新的最先进设计以及升级现有设计的良好选择。

通常，LinCMOS运算放大器中有许多与双极技术相关的功能，而没有双极技术的功率损失。使用TLC27L2ACDR和TLC27L7可轻松设计传感器接口、模拟计算、放大器块、有源滤波器和信号缓冲等一般应用。该设备还具有低电压单电源操作和超低功耗，使其非常适合远程和无法访问的电池供电应用。共模输入电压范围包括负轨。

可提供多种封装选项，包括用于高密度系统应用的小外形和芯片载体版本。

设备输入和输出设计为可承受-100 mA浪涌电流而无需持续闭锁。

TLC27L2ACDR和TLC27L7包含内部ESD保护电路，可防止根据MIL-STD-883C方法3015.2测试的电压高达2000 V时的功能故障；然而，在处理这些设备时应小心，因为暴露于ESD可能会导致设备参数性能下降。

C-Suffix装置的特点是在0°C至70°C的温度范围内运行。I-后缀装置的特点是在-40°C至85°C的温度范围内工作。M后缀装置的特点是在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。

特色