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TLC272CDR

  • 描述:放大器的种类: 互补型金属氧化物半导体 电线数量: two 增益带宽积: 2.2兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TA) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
100+ 1.80144 180.14400
1000+ 1.73215 1732.15400
3000+ 1.66554 4996.62300
10000+ 1.60147 16014.70000
50000+ 1.45218 72609.00000
  • 库存: 23913
  • 单价: ¥1.33414
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.33
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规格参数

  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 部件状态 可供货
  • 电线数量 two
  • 输出类别 -
  • 3db 频段宽度 -
  • 输出电流 / 通道 30毫安
  • 最小电源电压 3伏
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 放大器的种类 互补型金属氧化物半导体
  • 最大电源电压 16伏
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度(TA)
  • 工作电流 1.9毫安(x2个通道)
  • 电流输入偏置 0.7 pA
  • 电压输入偏移 1.1 mV
  • 压摆率 5.3V/s
  • 增益带宽积 2.2兆赫

TLC272CDR 产品详情

TLC72CDR是一款双精度运算放大器,结合了广泛的输入偏置电压等级,具有低偏置电压漂移、高输入阻抗、低噪声和接近通用BiFET器件的速度。该器件使用Texas Instruments硅栅LinCMOS™ 该技术提供的偏置电压稳定性远远超过传统金属栅极工艺的稳定性。极高的输入阻抗、低偏置电流和高压摆率使该器件非常适合以前用于BiFET和NFET产品的应用。这些优点与良好的共模抑制和电源电压抑制相结合,使该器件成为新的最先进设计以及升级现有设计的良好选择。通常,LinCMOS上有许多与双极技术相关的功能™ 没有双极技术的功率损失的运算放大器。

特色

  • 输入偏移电压漂移-通常为0.1µV/月,包括前30天
  • 共模输入电压范围延伸到负轨以下
  • 输出电压范围包括负轨
  • ESD保护电路
  • 抗闩锁设计
  • f=1kHz时为25nV/√Hz典型低噪声
  • 10¹²典型的高输入阻抗
  • 1.8µV/°C典型偏移漂移
  • 75dB典型共模抑制比
  • 80dB共模抑制比
  • 绿色产品,无Sb/Br
TLC272CDR所属分类:仪表/运算/缓冲放大器,TLC272CDR 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TLC272CDR价格参考¥1.334142,你可以下载 TLC272CDR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TLC272CDR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德州仪器 (Texas)

德州仪器 (Texas)

德州仪器公司(TI)是一家开发模拟IC和嵌入式处理器的全球半导体设计和制造公司。通过雇用世界上最聪明的人,TI创造了塑造技术未来的创新。如今,TI正在帮助超过10万名客户改变未来。

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