描述
TLC274CD和TLC279四元运算放大器结合了广泛的输入偏置电压等级，具有低偏置电压漂移、高输入阻抗、低噪声和接近通用BiFET器件的速度。这些设备使用Texas Instruments silicongate LinCMOS 该技术提供的偏置电压稳定性远远超过传统金属栅极工艺的稳定性。极高的输入阻抗、低偏置电流和高转换速率使这些具有成本效益的器件非常适合于以前为BiFET和NFET产品保留的应用。有四种偏置电压等级（C后缀和I后缀类型），从低成本TLC274CD（10 mV）到高精度TLC279（900µV）。这些优点与良好的共模抑制和电源电压抑制相结合，使这些器件成为新的最先进设计以及升级现有设计的良好选择。
特征
微调偏置电压：TLC279。25°C时最大900µV，VDD=5 V
输入偏移电压漂移。。。通常为0.1µV/月，包括前30天
规定温度范围内的宽范围电源电压：
0°C至70°C。3 V至16 V
−40°C至85°C。4 V至16 V
−55°C至125°C。4 V至16 V
单电源操作
共模输入电压范围扩展到负轨以下（C后缀和I后缀版本）
低噪声。。。f=1 kHz时通常为25 nV/√Hz
输出电压范围包括负轨
高输入阻抗。1012Ω 类型
ESD保护电路
小外形包装选项也有磁带和卷轴
闩锁抗扰度设计
特色
- 微调偏置电压
- 输入偏移电压漂移
- 共模输入电压范围延伸到负轨以下
- 输出电压范围包括负轨
- ESD保护电路
- 抗闩锁设计
- 绿色产品，无Sb/Br
（图片：引出线）
