LPV521MGE/NOPB是专为超长寿命电池应用而设计的单纳米功率552nW放大器。工作电压范围为1.6V至5.5V，加上典型的351nA电源电流，使其非常适合RFID读取器和远程传感器纳米功率应用。该设备在轨道上具有0.1 V的输入共模电压，保证TCVOS和轨道输出性能的电压摆动。LPV521MGE/NOPB具有精心设计的CMOS输入级，以典型的40 fA IBIAS电流胜过竞争对手。这种低输入电流显著降低了在兆欧电阻、高阻抗光电二极管和电荷传感情况下引入的IBIAS和IOS误差。LPV521MGE/NOPB是PowerWise系列的一员，具有卓越的功率性能比。
宽输入共模电压范围，保证1 mV VOS和3.5μV/°C TCVOS，可实现高侧和低侧电流传感的准确和稳定测量。
设备中设计了EMI保护，以降低对来自手机或其他RFID读取器的不需要的RF信号的敏感性。
LPV521MGE/NOPB在5针SC70封装中提供。
特色
- 对于VS=5 V，除非另有说明，否则为典型值
- VCM=0.3 V 400 nA（最大值）时的电源电流
- 工作电压范围1.6 V至5.5 V
- 低TCVOS 3.5μV/°C（最大值）
- VOS 1 mV（最大值）
- 输入偏置电流40 fA
- PSRR 109分贝
- 共模抑制比102 dB
- 开环增益132 dB
- 增益带宽乘积6.2 kHz
- 回转速率2.4 V/ms
- f=100 Hz时的输入电压噪声255 nV/√Hz
- 温度范围–40°C至125°C
LPV521是一款单纳米功率552毫瓦放大器，专为超长寿命电池应用而设计。工作电压范围为1.6V至5.5V，加上典型的351nA电源电流，使其非常适合RFID读取器和远程传感器纳米功率应用。该设备在轨道上具有0.1 V的输入共模电压，保证TCVOS和轨道输出性能的电压摆动。LPV521具有精心设计的CMOS输入级，以典型的40 fA IBIAS电流胜过竞争对手。这种低输入电流显著降低了在兆欧电阻、高阻抗光电二极管和电荷传感情况下引入的IBIAS和IOS误差。LPV521是PowerWise系列的一员，具有卓越的功率性能比。
宽输入共模电压范围，保证1 mV VOS和3.5μV/°C TCVOS，可实现高侧和低侧电流传感的准确和稳定测量。
设备中设计了EMI保护，以降低对来自手机或其他RFID读取器的不需要的RF信号的敏感性。
LPV521在5针SC70封装中提供。
