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TLE2082CD是集成电路OPAMP JFET 10MHZ 8SOIC，包括TLE2082系列，它们设计用于运算放大器产品，包装如数据表说明所示，用于管中，提供单位重量功能，如0.002677盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及BiFET技术，该设备也可以用作2信道数信道。此外，放大器类型为宽带放大器，该设备提供无关机关机模式，其最大工作温度范围为+70℃，最小工作温度范围0℃，工作电源电流为3.9 mA，电源电压最大值为38 V，电源电压最小值为4.5 V，封装盒为SOIC-8，Ib输入偏置电流为175 nA，Vos输入偏置电压为6mV，Vcm共模电压为负轨+4V至正轨，每通道输出电流为48mA，CMRR共模抑制比为70dB，GBP增益带宽积为9.4MHz，SR转换率为35V/us，输入电压噪声密度为28nV/sqrt Hz，输入噪声电流密度为0.0028pA/sqrt Hz，最大双电源电压为+/-19 V，最小双电源电压是+/-2.25 V。
TLE2082CDR是IC OPAMP JFET 10MHZ 8SOIC，包括6 mV Vos输入偏置电压，它们设计用于负轨+4 V至正轨Vcm共模电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002677盎司，提供BiFET等技术功能，电源电压最小值设计为4.5 V，以及38 V电源电压最大值，该设备也可以用作35V/us SR转换速率。此外，关机为无关机，该设备为TLE2082系列，该设备具有产品运算放大器，包装为卷轴式，封装外壳为SOIC-8，每个通道的输出电流为48 mA，工作电源电流为3.9 mA，通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为0 C，最小双电源电压为+/-2.25 V，最大工作温度范围为+70 C，最大双电源电压+/-19 V，输入噪声电流密度为0.0028 pA/sqrt Hz，Ib输入偏置电流为175 nA，GBP增益带宽积为9.4 MHz，输入电压噪声密度为28 nV/sqrt Hz，共模抑制比为70dB，放大器类型为宽带放大器。
TLE2082CDRG4是TI制造的IC OPAMP JFET 10MHZ 8SOIC。TLE2082CDR G4采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是线性放大器-仪表、运算放大器、缓冲放大器的一部分，并支持IC OPMP JFET 10MHZ 8SOIC、J-FET放大器2电路8-SOIC、运算放大器双GP±19V 8引脚SOIC T/R。
