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TLV272CD是集成电路OPAMP GP 3MHZ RRO 8SOIC，包括TLV272系列，它们设计用于与运算放大器产品一起工作，包装如数据表说明所示，用于管中，提供单位重量功能，例如0.002561盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及CMOS技术，该设备也可以用作2通道数的通道。此外，放大器类型为低功率放大器，该设备提供无关机关机模式，其最大工作温度范围为+70℃，最小工作温度范围0℃，工作电源电流为1.6 mA，电源电压最大值为16 V，电源电压最小值为2.7 V，封装外壳为SOIC-8，Ib输入偏置电流为60 pA，Vos输入偏置电压为5mV，PSRR电源抑制比为70dB，Vcm共模电压为负轨对正轨-1.35V，每个通道的输出电流为13mA，CMRR共模抑制比为65dB，GBP增益带宽乘积为3MHz，SR转换率为2.5V/us，en输入电压噪声密度为39nV/sqrt Hz，输入噪声电流密度为0.0006 pA/sqrt Hz，最大双电源电压为+/-8 V，最小双电源电压+/-1.35 V。
TLV2721IDBVT是IC OPAMP GP 510KHZ RRO SOT23-5，包括3 mV Vos输入偏置电压，它们设计用于负轨到正轨-1 V Vcm共模电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000459 oz，提供LinCMOS等技术功能，电源电压最小值设计为2.7 V，以及10 V电源电压最大值，该装置也可以用作0.25V/us SR转换速率。此外，关机为无关机，该设备为TLV2721系列，该设备具有产品运算放大器，包装为卷筒式，包装箱为SOT-23-5，每个通道的输出电流为50 mA，工作电源电流为150 uA，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-40℃，最小双电源电压为+/-1.35 V，最大工作温度范围+85 C，最大双电源电压+/-5 V，输入噪声电流密度为0.0006 pA/sqrt Hz，Ib输入偏置电流为60 pA，GBP增益带宽积为510 kHz，输入电压噪声密度为90nV/sqrt Hz，共模抑制比为70dB，放大器类型为低功率放大器。
TLV27262IDGK，带有TI制造的电路图。TLV27262 IDGK在TSSOP封装中提供，是IC芯片的一部分。
