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Si3460DV-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP，包括卷轴封装，它们设计用于Si3460DV-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于TSOP-6，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有1.1 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为6.8 a，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，漏极-源极电阻Rds为27mOhm，晶体管极性为N沟道。
SI3460-E02-GM是集成电路电源管理CTLR 11VQFN，包括11 V~16 V电源，它们设计为与DC/DC型控制器（PSE）一起工作。数据表说明中显示了用于11-QFN（3x3）的供应商设备包，该11-QFN提供802.3af（PoE）等标准功能，最大功率设计为15.4W，该设备也可用作10-VFDFN外露衬垫包装盒，其工作温度范围为-40°C~85°C，该设备提供1个通道，该设备具有内部开关数量，辅助感应为是。
SI3460DVT1-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SI3460DVT1-GE3采用SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP。
