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SI3477DV-T1-GE3是MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI3477DVD-GE3的零件别名，该SI3477DVB-GE3提供单位重量功能，例如0.000705盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为6-TSOP，配置为单四漏极，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为4.2W，晶体管类型为1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为2600pF@6V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为8A（Tc），最大Id Vgs的Rds为17.5mOhm@9A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为90nC@10V，Pd功耗为4.2W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为30 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为-8 A，Vds漏极-源极击穿电压为-12 V，Vgs栅-源极阈值电压为-1 V，Rds导通漏极-源极电阻为17.5mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为65nS，典型接通延迟时间为10nS，Qg栅极电荷为28.3nC，正向跨导最小值为30S。
SI3476DV-T1-GE3，带有用户指南，包括3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于80 V，提供单位重量功能，如0.000705 oz，典型开启延迟时间设计为26 ns，以及12 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以ThunderFET TrenchFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，上升时间为50ns，Rds On Drain Source电阻为105mOhms，Qg栅极电荷为4.9nC，Pd功耗为3.6W，封装为Reel，封装盒为TSOP-6，信道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为4.6 A，正向跨导最小值为7 S，下降时间为15 ns，配置为单一。
SI3477，带有SI制造的电路图。SI3477以SOT23-6封装形式提供，是FET的一部分-单个。
