起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 16.22409 | 16.22409 |
| 10+ | 14.58720 | 145.87201 |
| 25+ | 13.76151 | 344.03775 |
| 100+ | 11.72480 | 1172.48070 |
| 250+ | 11.00920 | 2752.30200 |
| 500+ | 9.63305 | 4816.52850 |
| 1000+ | 8.25690 | 8256.90600 |
| 2500+ | 8.25690 | 20642.26500 |
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MAX17606AZT+T是一种二次侧同步驱动器和控制器，专门设计用于在间断传导模式（DCM）或边界传导模式（BCM）下运行的隔离反激拓扑。通过用MOSFET代替次级二极管，该器件提高了效率并简化了热管理。该器件的7V VDRV使其适用于切换用于回扫同步整流的逻辑电平和标准MOSFET。36V输入电压允许其从次级MOSFET的输出电压或整流漏极电压驱动。可编程的最小接通和断开时间提供了以鲁棒方式处理变压器寄生元件相关振铃所需的灵活性。MAX17606AZT+T具有2A/4A源极/漏极电流，非常适合驱动具有快速栅极转换时间的低RDS（on）功率MOSFET。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MAX14K500D | 多美尔 (Vishay Foil) | 电阻: 14.5 kOhms 公差: ±0.5% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度 | ¥76.81096 |
| MAX11K000B | 多美尔 (Vishay Foil) | 电阻: 11千欧姆 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度 | ¥80.46862 |
| MAX32K000B | 多美尔 (Vishay Foil) | 电阻: 32 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度 | ¥101.91847 |
| MAX33K850B | 多美尔 (Vishay Foil) | 电阻: 33.85 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度 | ¥101.91847 |
| MAX39K000B | 多美尔 (Vishay Foil) | 电阻: 39 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度 | ¥101.91847 |
| MAX43K000B | 多美尔 (Vishay Foil) | 电阻: 43 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度 | ¥101.91847 |
| MAX49K000B | 多美尔 (Vishay Foil) | 电阻: 49 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度 | ¥101.91847 |
| MAX55K000B | 多美尔 (Vishay Foil) | 电阻: 55 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度 | ¥101.91847 |
| MAX58K000B | 多美尔 (Vishay Foil) | 电阻: 58 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度 | ¥101.91847 |
| MAX59K000B | 多美尔 (Vishay Foil) | 电阻: 59 kOhms 公差: ±0.1% 功率（瓦特）: 0.3W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 径向的 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度 | ¥101.91847 |
模拟设备公司（NASDAQ:ADI）在设计、制造和营销几乎所有类型的电子设备中使用的高性能模拟、混合信号和数字信号处理（DSP）集成电路（IC）的广泛组合方面处于世界领先地位。自1965年成立以来，他们...
