所有商标均为其各自所有者的财产。
描述UCC24612-2DBVR是用于标准和逻辑级N沟道MOSFET功率器件的高性能同步整流器控制器和驱动器。通过实现接近理想的二极管仿真，UCC24612-2DBVR减少了输出整流器的损耗，并间接减少了初级侧的损耗。漏极到源极（VDS）传感控制方案允许UCC24612-2DBVR与多种拓扑一起工作，如有源箝位反激、QR/DCM/CCM反激和LLC等。
集成功能简化了设计工作，使UCC24612-2DBVR能够在各种应用和频率中脱颖而出。宽工作VDD和VD电压范围可在输出高达28V的系统中实现简单的实现。效率和抗噪声能力通过自适应的最小关闭时间得到增强。变体UCC24612-1和UCC24612-2提供不同的最小接通时间，以提供额外的抗噪声能力。连续导通模式（CCM）下的鲁棒操作通过比例门驱动和CCM循环限制预关闭进一步增强。
UCC24612-2DBVR具有多种提高效率的功能。具有短传播延迟的快速比较器减少了开关损耗。9.5V栅极驱动钳位减少了MOSFET驱动损耗。频率相关待机模式进一步降低待机功率。这些功能有助于UCC24612-2DBVR成为更大系统的一部分，该系统符合严格的效率标准，如能源部（DoE）六级和行为准则（CoC）二级。
UCC24612-2DBVR提供SOT23-5封装。
特色
- 支持Active Clamp Flyback、QR、DCM、CCM Flyback和LLC等拓扑
- MOSFET VDS传感高达230V
- 工作频率高达1 MHz
- UCC24612-1为1 MHz
- UCC24612-2为800 kHz
- 宽VDD范围允许从5V到28-V输出系统的直接偏置
- 具有比例栅极驱动的4-A漏极、1-A源极栅极驱动器
- 提高噪声抗扰度的自适应最小关闭时间
- 循环限制预关闭可提高CCM的效率
- 高端或低端可配置
- 320μA待机电流的自动轻负载和睡眠模式管理
- 16 ns典型关断传播延迟
- 9.5V栅极驱动夹具，降低驱动损耗
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描述UCC24612是用于标准和逻辑级N沟道MOSFET功率器件的高性能同步整流器控制器和驱动器。通过实现接近理想的二极管仿真，UCC24612减少了输出整流器的损耗，并间接减少了初级侧损耗。漏极到源极（VDS）传感控制方案允许UCC24612与多种拓扑一起工作，例如有源箝位反激、QR/DCM/CCM反激和LLC等。
集成功能简化了设计工作，使UCC24612能够在各种应用和频率中脱颖而出。宽工作VDD和VD电压范围可在输出高达28V的系统中实现简单的实现。效率和抗噪声能力通过自适应的最小关闭时间得到增强。变体UCC24612-1和UCC24612-2提供不同的最小接通时间，以提供额外的抗噪声能力。连续导通模式（CCM）下的鲁棒操作通过比例门驱动和CCM循环限制预关闭进一步增强。
UCC24612具有多种提高效率的功能。具有短传播延迟的快速比较器减少了开关损耗。9.5V栅极驱动钳位减少了MOSFET驱动损耗。频率相关待机模式进一步降低待机功率。这些功能有助于UCC24612成为更大系统的一部分，该系统符合严格的效率标准，如能源部（DoE）六级和行为准则（CoC）二级。
UCC24612以SOT23-5封装形式提供。
