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OP42GSZ是集成OPAMP JFET 10MHZ 8SOIC，包括OP42系列，它们设计用于操作运算放大器产品，包装如数据表注释所示，用于管中，提供单位重量功能，如0.019048盎司，安装方式设计用于SMD/SMT，以及BiFET技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，放大器类型为高速放大器，该器件提供无停机停机模式，最大工作温度范围为+85℃，最小工作温度范围-40℃，工作电源电流为6.5 mA，开发套件为OP42GS-EBZ，封装外壳为SOIC-8，Ib输入偏置电流为0.00025 uA，Vos输入偏置电压为5mV，PSRR电源抑制比为98.42dB，CMRR共模抑制比为80dB，GBP增益带宽积为10MHz，SR转换率为50V/us，输入电压噪声密度为38nV/sqrt Hz，电压增益dB为119.08dB，输入噪声电流密度为0.007pA/sqrt Hz。
OP42GSZ-R7是IC OPAMP JFET 10MHZ 8SOIC，包括5mV Vos输入偏置电压，它们设计为以119.08 dB电压增益dB工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.019048盎司，提供50 V/us等SR转换率功能，关机设计为在无关机模式下工作，该器件还可以用作98.42dB PSRR电源抑制比。此外，该产品为精密放大器，该器件采用卷筒包装，该器件具有SOIC-8封装外壳，工作电源电流为6.5mA，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+85℃，GBP增益带宽乘积为10MHz，输入电压噪声密度为38nV/sqrt Hz。
OP42GSZ-RL是集成电路OPAMP JFET 10MHZ 8SOIC，包括38 nV/sqrt Hz en输入电压噪声密度，设计用于10 MHz GBP增益带宽产品，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，安装方式设计用于SMD/SMT，以及1信道数信道，该装置也可用作6.5mA工作电源电流。此外，封装外壳为SOIC-8，器件采用卷筒封装，器件具有产品精密放大器，PSRR电源抑制比为98.42 dB，系列为OP42，关机即不关机，SR转换率为50 V/us，单位重量为0.019048 oz，电压增益dB为119.08 dB，Vos输入偏置电压为5 mV。
OP42GSZ-REEL，带有ADI制造的EDA/CAD模型。OP42GSZ-REEL采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
