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SI3403DV-T1-E3是MOSFET 20V 5.0A 3.2W，包括卷轴封装，它们设计用于SI3403DV E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于TSOP-6，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有2 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为8 ns 11 ns，上升时间为24 ns 55 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为4 a，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为70m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为17ns 15ns，典型接通延迟时间为4ns 20ns，沟道模式为增强型。
SI3403DV-T1-GE3是MOSFET 20V 5.0A 3.2W 70mohm@4.5V，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于-20 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供晶体管类型功能，如1个P沟道，晶体管极性设计用于P沟道以及Si技术，该器件也可以用作70毫欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为2 W，该器件以SI3403DV-GE3零件别名提供，该器件具有一卷封装，封装盒为TSOP-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为4 a，配置为单一。
SI3403-A-GM，带有电路图，包括通道数量。
Si3403-A-GMR，具有由Silicon Labs制造的EDA/CAD模型。是PMIC-热插拔控制器的一部分，并支持“热插拔电压控制器PoE供电设备（高达17W，热插拔电压控制PoE供电装置（高达17 W，低EMI）”。
