LinCMOS是德州仪器的商标。
描述TLC272和TLC277CP精密双运算放大器结合了广泛的输入偏置电压等级，具有低偏置电压漂移、高输入阻抗、低噪声和接近通用BiFET器件的速度。
这些器件使用德州仪器硅门LinCMOS？该技术提供的偏置电压稳定性远远超过传统金属栅极工艺的稳定性。
极高的输入阻抗、低偏置电流和高转换速率使这些具有成本效益的器件非常适合以前用于BiFET和NFET产品的应用。有四种偏置电压等级（C后缀和I后缀类型），从低成本TLC272（10mV）到高精度TLC277CP（500uV）。这些优点与良好的共模抑制和电源电压抑制相结合，使这些器件成为新的最先进设计以及升级现有设计的良好选择。
通常，LinCMOS上有许多与双极技术相关的功能？没有双极技术的功率损失的运算放大器。使用TLC272和TLC277可轻松设计传感器接口、模拟计算、放大器模块、有源滤波器和信号缓冲等一般应用。该设备还具有低电压单电源操作，使其非常适合远程和无法访问的电池供电应用。共模输入电压范围包括负轨。
可提供多种封装选项，包括用于高密度系统应用的小外形和芯片载体版本。
设备输入和输出设计为可承受–100 mA浪涌电流，而无需持续闭锁。
TLC272和TLC277CP包含内部ESD保护电路，可防止根据MIL-STD-883C方法3015.2测试的电压高达2000 V时的功能故障；然而，在处理这些设备时应小心，因为暴露于ESD可能会导致设备参数性能下降。
C形密封装置的特点是在0°C至70°C的温度范围内工作。I后缀装置的特点是在-40°C至85°C的温度范围内工作。M后缀装置的特点是在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。
特色
- 微调偏置电压：TLC277。25°C时最大500 uV，VDD=5 V
- 输入偏移电压漂移。。。通常为0.1 uV/月，包括前30天
- 规定温度范围内的宽范围电源电压：0°C至70°C。。。3 V至16 V–40°C至85°C。。。4 V至16 V–55°C至125°C。。。4 V至16 V
- 单电源操作
- 共模输入电压范围扩展到负轨以下（C后缀、I后缀类型）
- 低噪声。。。f=1 kHz时通常为25 nV/Hz
- 输出电压范围包括负轨
- 高输入阻抗。。。1012类型
- ESD保护电路
- 小外形包装选项也有磁带和卷轴
- 闩锁抗扰度设计
LinCMOS是德州仪器的商标。
描述TLC272和TLC277精密双运算放大器结合了广泛的输入偏置电压等级，具有低偏置电压漂移、高输入阻抗、低噪声和接近通用BiFET器件的速度。
这些器件使用德州仪器硅门LinCMOS？该技术提供的偏置电压稳定性远远超过传统金属栅极工艺的稳定性。
极高的输入阻抗、低偏置电流和高转换速率使这些具有成本效益的器件非常适合以前用于BiFET和NFET产品的应用。有四种偏置电压等级（C后缀和I后缀类型），从低成本TLC272（10mV）到高精度TLC277（500uV）。这些优点与良好的共模抑制和电源电压抑制相结合，使这些器件成为新的最先进设计以及升级现有设计的良好选择。
通常，LinCMOS上有许多与双极技术相关的功能？没有双极技术的功率损失的运算放大器。使用TLC272和TLC277可轻松设计传感器接口、模拟计算、放大器模块、有源滤波器和信号缓冲等一般应用。该设备还具有低电压单电源操作，使其非常适合远程和无法访问的电池供电应用。共模输入电压范围包括负轨。
可提供多种封装选项，包括用于高密度系统应用的小外形和芯片载体版本。
设备输入和输出设计为可承受–100 mA浪涌电流，而无需持续闭锁。
TLC272和TLC277包含内部ESD保护电路，可防止根据MIL-STD-883C方法3015.2测试的电压高达2000 V时的功能故障；然而，在处理这些设备时应小心，因为暴露于ESD可能会导致设备参数性能下降。
C形密封装置的特点是在0°C至70°C的温度范围内工作。I后缀装置的特点是在-40°C至85°C的温度范围内工作。M后缀装置的特点是在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。
