OPA2314ASDRBTEP的稳健设计为电路设计者提供了易用性：高达300 pF的电容负载的单位增益稳定性、集成RF/EMI抑制滤波器、过驱动条件下无相位反转以及高ESD保护（4kV HBM）。
该设备针对低至+1.8 V（±0.9 V）和高达+5.5 V（±2.75 V）的低压运行进行了优化，并在±40°C至+150°C的整个扩展温度范围内进行了规定。
OPA2314SDRBTEP（双）以DFN-8封装形式提供。
特色
- 低智商：150μA/ch（最大值）
- 宽电源范围：1.8 V至5.5 V
- 低噪声：14 nV/√Hz，1 kHz）使该系列对于各种需要在成本和性能之间取得良好平衡的电池供电应用非常有吸引力。低输入偏置电流支持具有兆欧源阻抗的应用。
OPA2314的稳健设计为电路设计者提供了易用性：高达300 pF的电容负载的单位增益稳定性、集成RF/EMI抑制滤波器、过驱动条件下无相位反转以及高ESD保护（4kV HBM）。
该设备针对低至+1.8 V（±0.9 V）和高达+5.5 V（±2.75 V）的低压运行进行了优化，并在±40°C至+150°C的整个扩展温度范围内进行了规定。
OPA2314（双）采用DFN-8封装。
