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THS4222DGNR是IC OPAMP VFB 120MHZ RRO 8MSOP，包括THS4222系列，它们设计用于运算放大器产品，包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供单位重量功能，如0.000861盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及2信道数信道，该器件也可以用作电压反馈拓扑。此外，放大器类型为电压反馈，该器件提供1710 mW Pd功耗，其最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电流为36 mA，电源电压最大值为15 V，电源电压最小值为2.7 V，包装箱为HVSSOP-8，Ib输入偏置电流为3uA，Vos输入偏置电压为10mV，PSRR电源抑制比为62dB，CMRR共模抑制比为74dB，GBP增益带宽乘积为120MHz，SR转换率为550V/us，en输入电压噪声密度为13nV/sqrt Hz，电压增益dB为100dB。
THS4222DR是IC OPAMP VFB 120MHZ RRO 8SOIC，包括10mV Vos输入偏置电压，它们设计为在100dB电压增益dB下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.00267oz，提供电压反馈等拓扑功能，电源电压最小值设计为2.7V，以及15V电源电压最大值，该设备也可以用作550V/us SR转换速率。此外，该系列为THS4222，该器件提供62 dB PSRR电源抑制比，该器件具有产品运算放大器，Pd功耗为1020mW，封装为卷轴式，封装外壳为SOIC-8，工作电源电流为36 mA，通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，它的最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+85℃，Ib输入偏置电流为3 uA，GBP增益带宽积为120 MHz，输入电压噪声密度为13 nV/sqrt Hz，共模抑制比为74 dB，放大器类型为电压反馈。
THS4222EVM是用于THS4222的EVAL MOD，包括230MHz 3db带宽，它们设计用于电压反馈放大器类型，板类型如数据表注释所示，用于完全填充，提供每个IC的信道功能，如2-双，电流输出信道设计用于100mA，以及14mA电流供应主IC，其工作温度范围为-40°C~85°C。此外，输出类型为单端，轨对轨，该设备以990 V/μs的转换速率提供，该设备有一个供应内容板，使用的IC部件为THS4222，单双电源电压为2.7 V ~ 15 V，±1.35 V ~ 7.5 V。
THS4222DGNRG4是TI制造的IC OPAMP VFB 120MHZ RRO 8MSOP。THS4222DG NRG4有8-TSSOP、8-MSOP（0.118“，3.00mm宽）外露衬垫封装，是线性放大器-仪器、运算放大器、缓冲放大器的一部分，并支持IC OPAMP VFB 120MHZ RRO 8MSOP。
