TI新的BiMOS通用运算放大器系列的首批成员是TLC08x。BiMOS系列的概念很简单：为BiFET用户提供了一条升级路径，他们正在从双电源系统转向单电源系统，并要求更高的交流和直流性能。BiMOS在商用（0°C至70°C）和扩展的工业温度范围（-40°C至125°C）中的额定性能为4.5 V至16 V，适用于广泛的音频、汽车、工业和仪表应用。熟悉的功能（如偏移调零引脚）和新功能（如MSOP PowerPAD封装和关机模式），在各种应用中实现了更高级别的性能。
新的BiMOS放大器采用TI的专利LBC3 BiCMOS工艺开发，结合了非常高的输入阻抗、低噪声CMOS前端和高驱动双极输出级，从而提供了两者的最佳性能特征。与TL08x BiFET前辈相比，交流性能改进包括10MHz的带宽（增加300%）和8.5nV/√Hz的电压噪声（提高60%）。DC改进包括确保VICR（包括接地）、标准等级中输入偏置电压降低4倍至1.5 mV（最大值）、电源抑制改善大于40 dB至130 dB。除了这一系列令人印象深刻的功能外，还可以从占地面积极小的MSOP PowerPAD封装轻松驱动±50 mA负载，这使TLC08x成为理想的高性能通用运算放大器系列。
有关最新的包装和订购信息，请参阅本数据表末尾的包装选项附录，或访问TI网站www.TI.com。
特色
- 宽带：10 MHz
- 高输出驱动：
- IOH:57 mA，VDD–1.5 V
- IOL：55 mA，0.5 V
- 高回转率：
- SR+：16 V/μs
- SR–：19 V/μs
- 宽电源范围：4.5 V至16 V
- 电源电流：1.9 mA/通道
- 超低功率关机模式：
- IDD:125μA/通道
- 低输入噪声电压：8.5 nV√Hz
- 输入偏置电压：60μV
- 超小型包装：
- 8针或10针MSOP（TLC080/1/2/3）
