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TL032AID是IC OPAMP JFET 1.1MHZ 8SOIC，包括TL032A系列，它们设计用于精密放大器产品，包装如数据表注释所示，用于管中，提供单位重量功能，如0.002561盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及BiFET技术，该设备也可以用作2信道数信道。此外，放大器类型为低功率放大器，该器件提供无关机关机模式，其最大工作温度范围为+85℃，最小工作温度范围-40℃，工作电源电流为560 uA，电源电压最大值为30 V，电源电压最小值为10 V，封装外壳为SOIC-8，Ib输入偏置电流为200 pA，Vos输入偏置电压为800uV，Vcm共模电压为负轨+3.5V至正轨-1V，每通道输出电流为40mA，CMRR共模抑制比为75dB，GBP增益带宽积为1.1MHz，SR转换率为5.1V/us，输入电压噪声密度为49nV/sqrt Hz，电压增益dB为82.61dB，输入噪声电流密度为0.003pA/sqrt Hz。
TL032AIDR是IC OPAMP JFET 1.1MHZ 8SOIC，包括800 uV Vos输入偏置电压，它们设计为以82.61 dB电压增益dB工作，Vcm共模电压如数据表注释所示，用于负轨+3.5 V至正轨-1 V，提供单位重量功能，如0.002561盎司，技术设计用于BiFET，以及10 V电源电压最小值，该设备还可以用作30 V电源电压最大值。此外，SR转换率为5.1 V/us，该设备提供无关机关机模式，该设备具有TL032A系列，产品为精密放大器，包装为卷轴式，包装箱为SOIC-8，每个通道的输出电流为40 mA，工作电源电流为560 uA，通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+85℃，输入噪声电流密度为0.003 pA/sqrt Hz，Ib输入偏置电流为200 pA，GBP增益带宽积为1.1 MHz，输入电压噪声密度为49 nV/sqrt Hz；共模抑制比为75 dB，放大器类型为低功率放大器。
TL032AIDRG4是TI制造的IC OPAMP JFET 1.1MHZ 8SOIC。TL032AIDRG4采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是线性放大器-仪表、运算放大器、缓冲放大器的一部分，并支持IC OPMP JFET 1.1MHZ 8SOIC、运算放大器双GP±15V 8引脚SOIC T/R。
