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LF411CDR是IC OPAMP JFET 3MHZ 8SOIC，包括LF411系列，它们设计用于精密放大器产品，包装如数据表注释所示，用于卷筒，提供单位重量功能，如0.002561盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及BiFET技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，放大器类型为JFET放大器，该器件在无关机关机模式下提供，该器件具有500mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+70 C，最小工作温度范围0 C，工作电源电流为3.4 mA，电源电压最大值为36 V，电源电压最小值为7 V，封装外壳为SOIC-8，Ib输入偏置电流为200pA，Vos输入偏置电压为2mV，Vcm共模电压为负轨+4V至正轨-4V，CMRR共模抑制比为70dB，GBP增益带宽积为3MHz，SR转换率为13V/us，en输入电压噪声密度为18nV/sqrt Hz，电压增益dB为106.02dB，输入噪声电流密度为0.01pA/sqrt Hz。
LF411CDRG4是集成电路OPAMP JFET 3MHZ 8SOIC，包括2mV Vos输入偏置电压，其设计工作电压增益为106.02dB，单位重量如数据表注释所示，用于0.002561盎司，提供BiFET等技术特性，最小电源电压设计工作电压为7V，最大电源电压为36V，该设备也可以用作13V/us SR转换速率。此外，关机为无关机，该设备为LF411系列，该设备具有产品精密放大器，包装为卷轴式，封装外壳为SOIC-8，工作电源电流为3.4 mA，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为0 C，它的最大工作温度范围为+70℃，输入噪声电流密度为0.01 pA/sqrt Hz，Ib输入偏置电流为200 pA，GBP增益带宽积为3 MHz，输入电压噪声密度为18 nV/sqrt Hz；共模抑制比为70 dB，放大器类型为JFET放大器。
LF411CDG4是TI公司制造的IC OPAMP JFET 3MHZ 8SOIC。LF411CDG3采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是线性放大器-仪表、运算放大器、缓冲放大器的一部分，并支持IC OPMP JFET 3MHZ 8SOIC、J-FET放大器1电路8-SOIC、运算放大器单GP±18V 8引脚SOIC管。
