OPA202IDR器件基于TI业界领先的精密超β互补双极半导体工艺，该工艺具有超低闪烁噪声、低偏置电压、低偏置温度漂移以及与共模和电源变化的良好线性。该设备提供了DC精度、大容量负载驱动和外部EMI、热和短路事件保护的卓越组合。
在±18 V时，电源电流为580µA。OPA202IDR器件不会出现相位反转，并且该系列在高电容负载下稳定。OPA202IDR的温度范围为-40°C至+105°C。
特色
- 精密超级β性能：
- 低偏置电压：200µV（最大值）
- 超低漂移：1µV/°C（最大值）
- 卓越的效率：
- 静态电流：580µA（典型）
- 增益带宽产品：1 MHz
- 低输入电压噪声：9 nV/√赫兹
- 易于使用，设计简单：
- 大容量负载驱动：25 nF时的5µs沉降时间
- 超高输入阻抗：3000 GΩ和0.5 pF
- EMI硬化、热和短路保护
- 性能稳定：
- 高CMRR和AOL：126 dB（最小值）
- 高PSRR：126 dB（最小值）
- 低偏置电流：2 nA（最大值）
- 低0.1 Hz至10 Hz噪声：0.2µVpp
- 宽电源电压：±2.25 V至±18 V
- 替代OP-07和OP-27
