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LMC660AIM是运算放大器-运算放大器A 926-LMC660AIM/NOPB，包括LMC660系列，它们设计用于运算放大器产品，包装如数据表说明所示，用于管中，提供SMD/SMT等安装方式功能，技术设计用于CMOS，以及4信道信道数，该设备也可以用作无停机停机，其最大工作温度范围为+85℃，最小工作温度范围-40℃，该设备的工作电源电流为2.3 mA，电源电压最大值为15.5 V，电源电压最小值为4.75 V，封装外壳为SOIC窄14，Ib输入偏置电流为4 pA，Vos输入偏置电压为3mV，PSRR电源抑制比为70dB，每个通道的输出电流为40mA，CMRR共模抑制比为68dB，GBP增益带宽乘积为1.4MHz，SR转换率为1.1V/us，输入电压噪声密度为22nV/sqrt Hz（5V），输入噪声电流密度为0.0002pA/sqrt Hz。
LMC660AIM/NOPB是IC OPAMP GP 1.4MHZ RRO 14SOIC，包括3mV Vos输入偏置电压，它们设计用于CMOS技术，数据表说明中显示了4.75V的最小电源电压，提供了15.5 V等最大电源电压功能，SR转换率设计用于1.1 V/us，以及无关机功能，该设备也可以用作LMC660系列。此外，PSRR电源抑制比为70 dB，该器件为运算放大器产品，该器件具有封装管，封装外壳为SOIC窄14，每个通道的输出电流为40 mA，工作电源电流为2.2 mA，通道数为4通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+85℃，输入噪声电流密度为0.0002 pA/sqrt Hz，Ib输入偏置电流为4 pA，GBP增益带宽积为1.4 MHz，输入电压噪声密度为22 nV/sqrt Hz（5V），共模抑制比为68 dB。
LMC660A1M，带有NS制造的电路图。LMC660A1M采用SSOP封装，是IC芯片的一部分。
