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TLE2072IP是IC OPAMP JFET 10MHZ 8DIP，包括TLE2072系列，它们设计用于操作运算放大器产品，包装如数据表注释所示，用于管中，提供0.015535盎司等单位重量功能，安装样式设计用于通孔，以及BiFET技术，该设备也可以用作2信道数信道。此外，放大器类型为宽带放大器，该设备在无停机停机模式下提供，其最大工作温度范围为+85℃，最小工作温度范围-40℃，工作电源电流为3.9 mA，电源电压最大值为38 V，电源电压最小值为4.5 V，包装箱为PDIP-8，Ib输入偏置电流为175 pA，Vos输入偏置电压为6mV，Vcm共模电压为负轨+4V至正轨，每通道输出电流为48mA，CMRR共模抑制比为70dB，GBP增益带宽积为9.4MHz，SR转换率为35V/us，输入电压噪声密度为28nV/sqrt Hz，输入噪声电流密度为0.0028pA/sqrt Hz，最大双电源电压为+/-19 V，最小双电源电压是+/-2.25 V。
TLE2072ID是IC OPAMP JFET 10MHZ 8SOIC，包括6 mV Vos输入偏置电压，设计用于负轨+4 V至正轨Vcm共模电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002561盎司，提供BiFET等技术功能，电源电压最小值设计为4.5 V，以及38 V电源电压最大值，该设备也可以用作35V/us SR转换速率。此外，关机为无关机，该设备为TLE2072系列，该设备具有产品运算放大器，封装为管，封装外壳为SOIC-8，每个通道的输出电流为48mA，工作电源电流为3.9mA，通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-40℃，最小双电源电压为+/-2.25 V，最大工作温度范围+85℃，最大双电源电压+/-19 V，输入噪声电流密度为0.0028 pA/sqrt Hz，Ib输入偏置电流为175 pA，GBP增益带宽积为9.4 MHz，输入电压噪声密度为28nV/sqrt Hz，共模抑制比为70dB，放大器类型为宽带放大器。
TLE2072IDR是IC OPAMP JFET 10MHZ 8SOIC，包括宽带放大器放大器类型，它们设计为以70 dB共模抑制比工作，输入电压噪声密度如数据表注释所示，用于28 nV/sqrt Hz，提供GBP增益带宽产品特性，如9.4 MHz，Ib输入偏置电流设计为175 pA，除了0.0028 pA/sqrt Hz的输入噪声电流密度外，该器件还可以用作+/-19 V的最大双电源电压，其最大工作温度范围为+85 C，该器件的最小双电源电压为+/-2.25 V，其最小工作温度范围是-40 C，安装类型为SMD/SMT，信道数量为2信道，工作电源电流为3.9mA，每个通道的输出电流为48mA，封装外壳为SOIC-8，封装为卷轴式，产品为运算放大器，系列为TLE2072，关机为无关机，SR转换率为35V/us，电源电压最大值为38V，电源电压最小值为4.5V，技术为BiFET，单位重量为0.00267oz，Vos输入偏置电压为6mV。
TLE2072IDRG4是由TI制造的IC OPAMP JFET 10MHZ 8SOIC。TLE2072 IDRG4采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是IC芯片的一部分，支持IC OPMP JFET 10MHZ 8SOIC、J-FET放大器2电路8-SOIC、运算放大器双GP±19V 8引脚SOIC T/R。
