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NCS20072DR2G

  • 描述:放大器的种类: 一般用途 电线数量: two 增益带宽积: 3.2兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.62675 1.62675
  • 库存: 25
  • 单价: ¥1.62676
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.63
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 放大器的种类 一般用途
  • 电线数量 two
  • 3db 频段宽度 -
  • 输出类别 轨至轨
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 最小电源电压 2.7伏
  • 输出电流 / 通道 65 mA
  • 最大电源电压 36伏
  • 电流输入偏置 5 pA
  • 工作电流 420A (x2 Channels)
  • 压摆率 2.4伏/s
  • 电压输入偏移 1.3 mV
  • 增益带宽积 3.2兆赫
  • 连接口 -
  • 电源电压 -

NCS20072DR2G 产品详情

NCS20072DR2G是一款双运算放大器,采用8引脚SOIC封装,具有轨对轨输出。轨对轨操作使用户能够优化整个供电电压范围,同时利用3MHz带宽。该设备可在-40°C至125°C的温度范围内以低至2.7V的电源电压运行。在2.7V电源下,高带宽提供2.8µV/s的转换速率,同时每个通道仅消耗405µa的静态电流。广泛的电源范围允许NCS20072DR2G在高达36V的电源电压下运行,使其成为广泛应用的理想选择。由于这是一个CMOS器件,高输入阻抗和低偏置电流使其成为与各种信号传感器接口的理想选择。



引出线,引出线


特色

  • 低电流消耗和宽温度范围内的功能

  • 工作电压范围为2.7V至36V(单电源)和±1.35V至±18V(分体式电源)

  • VS=2.7V时5pA的低输入偏置电流和VS=2.7V时2pA的输入偏置电流

  • VS=2.7V时1.3mV的输入偏置电压

  • VS=2.7V时共模抑制比(CMRR)为110dB(VCM=VSS+0.2 V至VDD-1.35V)

  • VS=2.7V时的开环电压增益为118dB

  • VS=2.7V时输出电流能力为70mA(运算放大器吸收电流)和50mA(源电流)

  • VS=2.7V时,相位裕度为50°(CL=25pF),增益裕度为14dB(CL=25pF)

  • VS=2.7V时0.6µs的沉降时间(沉降时间至0.1%)

  • VS=2.7V时,电源抑制比(PSRR)为135dB(空载)

应用

  • 信号处理

  • 传感和仪表

  • 消费电子产品

  • 便携式设备

NCS20072DR2G所属分类:仪表/运算/缓冲放大器,NCS20072DR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NCS20072DR2G价格参考¥1.626755,你可以下载 NCS20072DR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NCS20072DR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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