TLC2201AMDG4

• B级经过100%噪声测试
  • f=1 kHz时最大30 nV/Hz
• 低输入偏置电压。最大500μV
• 优异的温度补偿电压稳定性。0.5μV/°C典型值
• 轨对轨输出摆动
• 低输入偏置电流
  • TA=25°C时1 pA Typ
• 共模输入电压范围包括负轨
• 完全指定用于单电源和分电源操作

Advanced LinCMOS是德州仪器公司的商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。

TLC220x、TLC220xA、TLC220xMB和TLC220xY是使用德州仪器高级LinCMOS？过程这些器件结合了低噪声JFET放大器的噪声性能和以前仅在双极放大器中可用的直流精度。高级LinCMOS？该工艺使用硅栅极技术以获得温度和时间远超过使用金属栅极技术可获得的输入偏置电压稳定性。此外，该技术使输入阻抗水平达到或超过顶栅JFET和昂贵的电介质隔离器件提供的水平成为可能。

出色的直流和噪声性能与共模输入电压范围（包括负轨）的结合使这些设备成为单电源或分电源配置中高阻抗、低电平信号调节应用的理想选择。

设备输入和输出设计为可承受–100 mA浪涌电流，而无需持续闭锁。此外，根据MIL-PRF-38535方法3015.2测试，内部ESD保护电路可防止电压高达2000 V时的功能故障；然而，在处理这些设备时应小心，因为暴露于ESD可能会导致参数性能下降。

C形密封装置的特点是在0°C至70°C的温度范围内工作。I后缀装置的特点是在-40°C至85°C的温度范围内工作。M后缀装置的特点是在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。