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MC33172DR2G

  • 描述:放大器的种类: 一般用途 电线数量: two 增益带宽积: 1.8兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 5.64946 5.64946
10+ 4.99760 49.97601
25+ 4.69339 117.33497
100+ 3.83077 383.07700
250+ 3.55800 889.50050
500+ 3.02796 1513.98350
1000+ 2.49952 2499.52500
2500+ 2.49952 6248.81250
  • 库存: 0
  • 单价: ¥5.64946
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.65
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 放大器的种类 一般用途
  • 电线数量 two
  • 输出类别 -
  • 3db 频段宽度 -
  • 电流输入偏置 20 nA
  • 最小电源电压 3伏
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度
  • 安装类别 表面安装
  • 电压输入偏移 2 mV
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 压摆率 2.1V/s
  • 最大电源电压 44伏
  • 输出电流 / 通道 27毫安
  • 增益带宽积 1.8兆赫
  • 工作电流 220A (x2 Channels)

MC33172DR2G 产品详情

MC33172DR2G是一款低功耗单片双运算放大器,每个放大器的工作频率为180µa,提供1.8MHz的增益带宽产品和2.1V/µs的转换速率,无需使用JFET器件技术。尽管该系列可以从分开的电源操作,但它特别适合于单电源操作,因为共模输入电压包括接地电位(VEE)。采用达林顿输入级,该器件具有高输入电阻、低输入偏置电压和高增益。全NPN输出级具有无死区交叉失真和大输出电压摆动的特点,提供高电容驱动能力、优异的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗和对称的源/汇交流频率响应。

特色

  • 输出短路保护
  • 宽输入共模范围,包括接地(VEE)
  • 2mV低输入偏置电压
  • 0至500pF大容量驱动能力
  • 0.03%低总谐波失真
  • 60°极佳的相位裕度
  • 15dB卓越的增益裕度


(图片:引出线)

MC33172DR2G所属分类:仪表/运算/缓冲放大器,MC33172DR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MC33172DR2G价格参考¥5.649462,你可以下载 MC33172DR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MC33172DR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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