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TS27M2BID

  • 描述:放大器的种类: 互补型金属氧化物半导体 电线数量: two 增益带宽积: 1兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥27.65339
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥27.65
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规格参数

  • 电线数量 two
  • 输出类别 -
  • 3db 频段宽度 -
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 压摆率 0.6V/s
  • 电流输入偏置 1 pA
  • 最小电源电压 3伏
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 增益带宽积 1兆赫
  • 放大器的种类 互补型金属氧化物半导体
  • 最大电源电压 16伏
  • 电压输入偏移 250 V
  • 输出电流 / 通道 45毫安
  • 工作电流 150A (x2 Channels)
  • 部件状态 过时的

TS27M2BID 产品详情

这些器件是低成本、低功率的双运算放大器,设计用于单电源或双电源操作。这些运算放大器采用ST硅栅CMOS工艺,具有优异的消耗速度比。这些系列非常适合低功耗应用。

有三种功耗可供选择,从而始终具有最佳的功耗速度比:I科科斯群岛=10μA/安培:TS27L2(极低功率)I科科斯群岛=150μA/安培:TS27M2(低功率)I科科斯群岛=1毫安/安培:TS272(标准)
这些CMOS放大器提供非常高的输入阻抗和极低的输入电流。与JFET器件相比,主要优点是输入电流随温度漂移非常低(见图2)。

特色

  • Vio最大值降至2 mV(B版本)
  • 宽电源电压范围:3至16 V
  • 输出电压对地摆动
  • 超低功耗:150μA/op典型值
  • 增益带宽乘积:典型1MHz
  • 电容负载上的出色相位裕度
TS27M2BID所属分类:仪表/运算/缓冲放大器,TS27M2BID 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TS27M2BID价格参考¥27.653392,你可以下载 TS27M2BID中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TS27M2BID规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...

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