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TL084QD是IC OPAMP JFET 3MHZ 14SOIC，包括TL084系列，它们设计用于操作运算放大器产品，包装如数据表注释所示，用于管中，提供单位重量功能，如0.004515盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及BiFET技术，该设备也可以用作4信道数信道。此外，放大器类型为通用放大器，该设备提供无关机关机模式，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电流为11.2 mA，电源电压最大值为36 V，电源电压最小值为7 V，封装盒为SOIC-14，Ib输入偏置电流为200pA，Vos输入偏置电压为9mV，Vcm共模电压为负轨+4V至正轨-4V，共模抑制比为70dB，GBP增益带宽积为3MHz，SR转换率为13V/us，输入电压噪声密度为18nV/sqrt Hz，输入噪声电流密度为0.01pA/sqrt Hz，最大双电源电压为+/-18 V，最小双电源电压是+/-3.5 V。
TL084QDR是IC OPAMP JFET 3MHZ 14SOIC，包括9 mV Vos输入偏置电压，设计用于负轨+4 V至正轨-4 V Vcm共模电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.004706盎司，提供BiFET等技术功能，电源电压最小值设计为7 V，以及36 V电源电压最大值，该设备也可以用作13V/us SR转换速率。此外，关机为无关机，该设备为TL084系列，该设备具有产品运算放大器，包装为卷轴式，封装外壳为SOIC-14，工作电源电流为11.2mA，通道数为4通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-40 C，最小双电源电压为+/-3.5V，其最大工作温度范围为+125C，最大双电源电压+/-18V，输入噪声电流密度为0.01pA/sqrt Hz，Ib输入偏置电流为200pA，GBP增益带宽积为3MHz，输入电压噪声密度为18nV/sqrt Hz。共模抑制比为70dB，放大器类型为通用放大器。
TL085CN带有TI制造的电路图。TL085CN采用DIP-14P封装，是IC芯片的一部分。
TL087CP带有TI制造的EDA/CAD模型。TL087CPDIP-8封装，是IC芯片的一部分。
