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NCP43080DDR2G

  • 描述:电源电压: 35伏 应用及使用: 二次侧控制器,同步整流器 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.94995 4.94995
10+ 4.14072 41.40722
30+ 3.73085 111.92562
100+ 3.21589 321.58910
500+ 2.97417 1487.08700
  • 库存: 0
  • 单价: ¥4.94995
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.95
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规格参数

  • 输入电压 -
  • 安装类别 表面安装
  • 应用及使用 二次侧控制器,同步整流器
  • 部件状态 可供货
  • 工作电流 -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 电源电压 35伏

NCP43080DDR2G 产品详情

ON Semiconductor的NCP43080是用于开关电源的同步整流器控制器。该控制器实现了反激、准谐振反激和LLC拓扑的高效设计。外部可调节的最小关断时间和接通时间消隐周期为驱动各种MOSFET封装类型和PCB布局提供了灵活性。由于自同步特性,SR系统的运行可靠且无噪声。NCP43080还利用驱动器与MOSFET的开尔文连接,以实现满载时的高效率操作。精确的关断阈值、极低的关断延迟时间和驱动器的高吸收电流能力允许最大的同步整流MOSFET导通时间。高精度驱动器和5V栅极钳位使其非常适合直接驱动GaN器件。

IC二次侧CTRLR 8SOIC

特色

  • 4.5V ULVO和9.5V DRV钳位电压
  • CCM、DCM和QR中整流器的独立控制,用于反激、正向或LLC应用
  • 精确的二次零电流检测
  • 坚固的电流感测引脚(高达150V)和可调节的最小接通时间
  • 可调节的最小关闭时间,带振铃检测
  • 改进的鲁棒自同步能力和8A/4A峰值电流吸收/源极驱动能力
  • 主QR控制器CCM控制的可调最大接通时间
  • 工作电压范围高达VCC=35V,GaN晶体管驱动能力
  • 自适应门驱动夹,自动轻载和禁用模式
  • 工作结温度从-40°C到125°C
NCP43080DDR2G所属分类:电源控制器、监视器,NCP43080DDR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NCP43080DDR2G价格参考¥4.949950,你可以下载 NCP43080DDR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NCP43080DDR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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