特色
- 改善直流性能的片内偏置电压微调
- 比前几代低功耗BiFET更低的本底噪声
- 290µA/通道典型低电源电流
- 6µV/°C典型偏移漂移
- 90dB典型共模抑制比
- 绿色产品,无Sb/Br
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 21.80112 | 21.80112 |
10+ | 19.59204 | 195.92045 |
25+ | 18.48388 | 462.09702 |
100+ | 15.74823 | 1574.82370 |
250+ | 14.78681 | 3696.70375 |
500+ | 12.93842 | 6469.21350 |
1000+ | 12.20609 | 12206.09700 |
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