NCP367OPMUECTBG

NCP367OPMUEOTBG是一种充电路径保护装置，它允许在检测到错误充电条件时将系统与其输出引脚断开。该系统具有高达+28 V的正过电压保护。由于该装置使用内部功率MOS，因此不需要外部装置，降低了系统成本和应用板的PCB面积。由于集成了低Ron功率PMOS（50 mΩ，如果输入电压超过1.85 V（UVLO）的过电压阈值（几个可用）或欠电压阈值），NCP367OPMUEOTBG能够立即断开输出与输入的连接。通电时（EN（BAR）引脚=低电平），Vout在Vin超过欠压阈值后开启时间。额外的过电流保护功能允许在充电电流超过外部可选择的电流限制时关闭内部PMOS FET。电流限制值可通过控制逻辑引脚修改，以除以内部增益，允许USB 100 mA/500 mA充电或USB/墙壁适配器充电至过电流阈值。同时，锂离子电池电压持续监测，在充电期间提供更多安全性。热关机保护也可用。NCP367OPMUEOTBG提供负向标志（flag（BAR））输出，警告系统发生故障。此外，当用1.0µF或更大的电容器旁路时，设备具有ESD保护输入（15 kV空气）。

特色

应用