描述
TLC272和TLC277精密双运算放大器结合了广泛的输入偏置电压等级，具有低偏置电压漂移、高输入阻抗、低噪声和接近通用BiFET器件的速度。
这些设备使用Texas Instruments silicongate LinCMOS 该技术提供的偏置电压稳定性远远超过传统金属栅极工艺的稳定性。
极高的输入阻抗、低偏置电流和高转换速率使这些成本效益高的器件非常适合以前为BiFET和NFET产品保留的应用。有四种偏置电压等级（C后缀和I后缀类型），从低成本TLC272（10 mV）到高精度TLC277（500µV）。这些优点与良好的共模抑制和电源电压抑制相结合，使这些器件成为新的最先进设计以及升级现有设计的良好选择。
特征
- 微调偏置电压：TLC277。25°C时最大500µV，VDD=5 V
- 输入偏移电压漂移。。。通常为0.1µV/月，包括前30天
- 规定温度范围内的宽范围电源电压：
0°C至70°C。3 V至16 V
–40°C至85°C。4 V至16 V
–55°C至125°C。4 V至16 V - 单电源操作
- 共模输入电压范围扩展到负轨以下（C后缀、I后缀类型）
- 低噪声。。。f=1 kHz时通常为25 nV/√Hz
- 输出电压范围包括负轨
- 高输入阻抗。1012Ω 类型
- ESD保护电路
- 小外形包装选项也有磁带和卷轴
- 闩锁抗扰度设计
（图片：引出线）
