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TLE2064AMD是IC OPAMP JFET 2MHZ 14SOIC，包括TLE2064AM系列，它们设计用于操作运算放大器产品，包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供单位重量功能，如0.004515盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及BiFET技术，该设备也可以用作4信道数信道。此外，放大器类型为高输出电流放大器，该设备提供无停机停机模式，其最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，工作电源电流为1.4 mA，封装外壳为SOIC-14，Ib输入偏置电流为40 nA，Vos输入偏置电压为6 mV，Vcm共模电压为负轨+4V至正轨-2V，共模抑制比为65dB，GBP增益带宽积为1.8MHz，SR转换率为3.4V/us，输入电压噪声密度为59nV/sqrt Hz，输入噪声电流密度为0.001pA/sqrt Hz；最大双电源电压为+/-18V，最小双电源电压为+/-3.5 V。
TLE2064AMDR是IC OPAMP JFET 2MHZ 14SOIC，包括6 mV Vos输入偏置电压，设计用于负轨+4 V至正轨-2 V Vcm共模电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.004706盎司，提供BiFET、SR转换率等技术功能，设计用于3.4 V/us，以及无关机关机，该设备也可以用作TLE2064AM系列。此外，该产品是运算放大器，该器件采用卷筒包装，该器件具有SOIC-14封装外壳，工作电源电流为1.4 mA，通道数为4通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，最低双电源电压为+/-3.5 V，它的最大工作温度范围为+125℃，最大双电源电压为+/-18 V，输入噪声电流密度为0.001 pA/sqrt Hz，Ib输入偏置电流为40 nA，GBP增益带宽积为1.8 MHz，输入电压噪声密度为59 nV/sqrt Hz；共模抑制比为65 dB，放大器类型为高输出电流放大器。
TLE2064AIN带有TI制造的电路图。TLE2064A in采用DIP-14封装，是IC芯片的一部分。
TLE2064AMDRG4是由TI制造的IC OPAMP JFET 2MHZ 14SOIC。TLE2064A MDRG4采用14-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是线性放大器-仪表、运算放大器、缓冲放大器的一部分，并支持IC OPAP JFET 2MHZ 14SOIC、J-FET放大器4电路14-SOIC、运算放大器Quad GP±18V 14引脚SOIC T/R。
