LinCMOS是德州仪器的商标。
描述TLC271运算放大器结合了广泛的输入偏置电压等级，具有低偏置电压漂移和高输入阻抗。此外，TLC271提供偏置选择模式，允许用户为特定应用选择功耗和交流性能的最佳组合。这些器件使用德州仪器硅栅极LinCMOSTM技术，其提供的偏置电压稳定性远远超过传统金属栅极工艺的稳定性。
使用偏置选择选项，这些具有成本效益的器件可以编程，以跨越以前需要BiFET、NFET或双极技术的广泛应用。有三种偏置电压等级（C后缀和I后缀类型），从低成本TLC271（10mV）到TLC271BIDR（2mV）低偏置版本。极高的输入阻抗和低偏置电流，以及良好的共模抑制和电源电压抑制，使这些器件成为新的最先进设计以及升级现有设计的良好选择。
一般来说，LinCMOSTM运算放大器中有许多与双极技术相关的功能，而没有双极技术的功率损失。一般应用，如传感器接口、模拟计算、放大器块、有源滤波器和信号缓冲，都可以使用TLC271轻松设计。该设备还具有低压单电源操作，使其非常适合远程和不可访问的电池供电应用。共模输入电压范围包括负轨。
可提供多种封装选项，包括用于高密度系统应用的小外形和芯片载体版本。
设备输入和输出设计为承受-100mA的浪涌电流，而无需持续闭锁。
TLC271包含内部ESD保护电路，可防止根据MIL-STD-883C方法3015.2测试的电压高达2000 V时的功能故障；然而，在处理这些设备时应小心，因为暴露于ESD可能会导致设备参数性能下降。
C形密封装置的特点是在0°C至70°C的温度范围内工作。I-后缀装置的特点是在-40°C至85°C的温度范围内工作。M后缀装置的特点是在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。
特色
- 输入偏移电压漂移。。。通常为0.1 uV/月，包括前30天
- 规定温度范围内的宽范围电源电压：
- 0°C至70°C。。。3 V至16 V
- -40°C至85°C。。。4 V至16 V
- -55°C至125°C。。。5 V至16 V
- 单电源操作
- 共模输入电压范围扩展到负轨以下（C后缀和I后缀类型）
- 低噪声。。。25 nV/Hz\通常f=1 kHz（高偏置模式）
- 输出电压范围包括负轨
- 高输入阻抗。。。1012类型
- ESD保护电路
- 小外形包装选项也有磁带和卷轴
- 闩锁抗扰度设计
LinCMOS是德州仪器的商标。
描述TLC271运算放大器结合了广泛的输入偏置电压等级，具有低偏置电压漂移和高输入阻抗。此外，TLC271提供偏置选择模式，允许用户为特定应用选择功耗和交流性能的最佳组合。这些器件使用德州仪器硅栅极LinCMOSTM技术，其提供的偏置电压稳定性远远超过传统金属栅极工艺的稳定性。
使用偏置选择选项，这些具有成本效益的器件可以编程，以跨越以前需要BiFET、NFET或双极技术的广泛应用。有三种偏置电压等级（C后缀和I后缀类型），从低成本TLC271（10mV）到TLC271B（2mV）低偏置版本。极高的输入阻抗和低偏置电流，以及良好的共模抑制和电源电压抑制，使这些器件成为新的最先进设计以及升级现有设计的良好选择。
一般来说，LinCMOSTM运算放大器中有许多与双极技术相关的功能，而没有双极技术的功率损失。一般应用，如传感器接口、模拟计算、放大器块、有源滤波器和信号缓冲，都可以使用TLC271轻松设计。该设备还具有低压单电源操作，使其非常适合远程和不可访问的电池供电应用。共模输入电压范围包括负轨。
可提供多种封装选项，包括用于高密度系统应用的小外形和芯片载体版本。
设备输入和输出设计为承受-100mA的浪涌电流，而无需持续闭锁。
TLC271包含内部ESD保护电路，可防止根据MIL-STD-883C方法3015.2测试的电压高达2000 V时的功能故障；然而，在处理这些设备时应小心，因为暴露于ESD可能会导致设备参数性能下降。
C形密封装置的特点是在0°C至70°C的温度范围内工作。I-后缀装置的特点是在-40°C至85°C的温度范围内工作。M后缀装置的特点是在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。
