TLV521DCKR 350 nA纳米功率运放在TI的纳米功率运算放大器系列中具有最佳的性价比。TLV521DCKR具有精心设计的CMOS输入级，能够实现1pA的非常低的Ibias，从而减少Ibias和IOS误差，否则会影响兆欧电阻、高阻抗光电二极管和电荷传感等敏感应用。此外，内置EMI保护降低了对来自移动电话和RFID读取器等源的不需要的RF信号的敏感性。
TLV521DCKR采用5针SC70封装，工作温度为-40°C至125°C。
特色
- 无与伦比的性价比
- 对于VS=3.3 V，除非另有说明，否则为典型值
- 超低电源电流
- 典型值为350 nA，最大值为500 nA
- 宽工作电压范围1.7 V至5.5 V
- 低TCVOS 1.5μV/°C
- VOS 3 mV（最大值）
- 输入偏置电流1 pA
- PSRR 100 dB
- 共模抑制比90 dB
- 开环增益110 dB
- 增益带宽乘积6 kHz
- 回转速率2.5 V/ms
- f=100 Hz时的输入电压噪声300 nV/√Hz
- 温度范围–40oC至125°C
- 轨对轨输入和输出（RRIO）
- 超低电源电流
TLV521 350 nA纳米功率运放在TI的纳米功率运算放大器系列中具有最佳的性价比。TLV521具有精心设计的CMOS输入级，能够实现1pA的非常低的Ibias，从而减少Ibias和IOS误差，否则会影响兆欧电阻、高阻抗光电二极管和电荷传感等敏感应用。此外，内置EMI保护降低了对来自移动电话和RFID读取器等源的不需要的RF信号的敏感性。
TLV521采用5针SC70封装，工作温度为-40°C至125°C。
