TLV522DGKT 500 nA双纳米功率运算放大器在TI的纳米功率运算功放系列中提供了最佳的性价比。TLV522DGKT从500 nA的静态电流提供8 kHz的增益带宽，使其非常适合建筑自动化和遥感节点中的电池供电应用。其CMOS输入级实现了非常低的IBIAS，减少了兆欧反馈电阻拓扑（如高阻抗光电二极管和电荷传感应用）中通常引入的误差。此外，内置EMI保护可降低对来自移动电话、WiFi、无线电发射机和RFID读取器等来源的不需要的RF信号的敏感性。
TLV522DGKT采用8引脚VSSOP（MSOP）封装，工作温度为-40°C至125°C。
特色
- 无与伦比的性价比
- 宽电源范围1.7 V至5.5 V
- 低电源电流500 nA
- 良好偏置电压4 mV（最大值）
- 良好的TcVos 1.5μV/°C
- 增益带宽8 kHz
- 轨对轨输入和输出（RRIO）
- 单位增益稳定
- 低输入偏置电流1 pA
- EMI硬化
- 温度范围–40°C至125°C
- 8引脚VSSOP封装
TLV522 500 nA双纳米功率运放在TI的纳米功率运算放大器系列中具有最佳的性价比。TLV522从500 nA的静态电流提供8 kHz的增益带宽，使其非常适合建筑自动化和遥感节点中的电池供电应用。其CMOS输入级实现了非常低的IBIAS，减少了兆欧反馈电阻拓扑（如高阻抗光电二极管和电荷传感应用）中通常引入的误差。此外，内置EMI保护可降低对来自移动电话、WiFi、无线电发射机和RFID读取器等来源的不需要的RF信号的敏感性。
TLV522采用8引脚VSSOP（MSOP）封装，工作温度为-40°C至125°C。
