宽Vin允许在没有外部组件的情况下监测9V导轨或电池，以及在有外部电阻器的情况下监控24V导轨。Nano Iq可延长低功耗应用的电池寿命，并在使用外部电阻器时将电流消耗降至最低。快速启动延迟允许在系统的其余部分通电之前检测电压故障，从而提供最大的安全性和危险的启动故障条件。低通电复位（VPOR）可防止错误复位、过早启用或开启下一个设备，以及在通电和断电期间正确控制晶体管。
当VDD处的电压下降至低于负电压阈值（VIT-）或手动复位（MR）被拉至低逻辑（VMR_L）时，复位输出信号被断言。当VDD上升到VIT-加滞后（VIT+）以上，且手动复位浮动或高于VMR_H且复位时间延迟（tD）到期时，复位信号被清除。复位时间延迟可通过在CT引脚和接地之间连接电容器进行编程。对于快速复位，CT引脚可以保持浮动。
附加功能：内置故障抗扰保护，适用于MR和VDD，内置滞后，低漏极开路输出泄漏电流（ILKG（OD））。
特色
- 宽工作电压：1.5 V至10 V
- 纳米电源电流：300 nA（典型值），700 nA（最大值）
- 固定阈值电压（VIT-）
- 阈值从1.6 V到4.9 V，0.1 V步长
- 高精度：1%（典型值），1.5%（最大值）
- 内置磁滞（VIT+）
- 1.6 V<VIT-≤3.0 V=100 mV（典型）
- 3.1 V≤VIT-<4.9 V=200 mV（典型）
- 启动延迟（tSTRT）：220μs（典型值），350μs（最大值）
- 可编程复位延时（tD）：
- 50μs（无电容器）至6.2 s（10μF）
- 主动低手动复位（MR）
- 三种输出拓扑：
- TPS3840DL：漏极开路，低电平有效（复位），需要上拉电阻器
- TPS3840PL：推挽式，低电平有效（复位）
- TPS3840PH：推挽式，高有效（复位）
- 宽温度范围：-40°C至+125°C
- 包装：SOT23-5（DBV）
- 可编程复位延时（tD）：
