TLV314IDBVT系列单通道、双通道和四通道运算放大器代表了新一代低功耗通用运算放大器。轨对轨输入和输出摆动（RRIO）、低静态电流（150μA，通常为5V）与3MHz的宽带相结合，使该系列对各种需要在成本和性能之间取得良好平衡的电池供电应用非常有吸引力。此外，TLV314IDBVT系列架构实现了1pA的低输入偏置电流，允许使用MΩ源阻抗的应用。
TLV314IDBVT器件的稳健设计为电路设计者提供了易用性：单位增益稳定性、RRIO、高达300 pF的电容性负载、集成RF/EMI抑制滤波器、过驱动条件下无相位反转以及高静电放电（ESD）保护（4 kV HBM）。
这些设备针对低至1.8 V（±0.9 V）和高达5.5 V（±2.75 V）的低压运行进行了优化，并在-40°C至+125°C的扩展工业温度范围内进行了规定。
TLV314IDBVT（单个）可用于5引脚SC70和SOT-23封装。TLV2314（双）提供8引脚SOIC和VSSOP封装。四通道TLV4314采用14引脚TSSOP封装。
特色
- 低偏置电压：0.75 mV（典型值）
- 低输入偏置电流：1 pA（典型值）
- 宽电源范围：1.8 V至5.5 V
- 轨对轨输入和输出
- 增益带宽：3 MHz
- 低IQ：250μA/Ch（最大值）
- 低噪声：16 nV/√Hz，1 kHz
- 内部RF/EMI滤波器
- 扩展温度范围：-40°C至+125°C
TLV314系列单通道、双通道和四通道运算放大器代表了新一代低功耗通用运算放大器。轨对轨输入和输出摆动（RRIO）、低静态电流（150μA，通常为5V）与3MHz的宽带相结合，使该系列对各种需要在成本和性能之间取得良好平衡的电池供电应用非常有吸引力。此外，TLV314系列架构实现了1pA的低输入偏置电流，允许使用MΩ源阻抗的应用。
TLV314器件的稳健设计为电路设计者提供了易用性：单位增益稳定性、RRIO、高达300 pF的电容性负载、集成RF/EMI抑制滤波器、过驱动条件下无相位反转以及高静电放电（ESD）保护（4 kV HBM）。
这些设备针对低至1.8 V（±0.9 V）和高达5.5 V（±2.75 V）的低压运行进行了优化，并在-40°C至+125°C的扩展工业温度范围内进行了规定。
TLV314（单个）可用于5引脚SC70和SOT-23封装。TLV2314（双）提供8引脚SOIC和VSSOP封装。四通道TLV4314采用14引脚TSSOP封装。
