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LF353D是IC OPAMP JFET 3MHZ 8SOIC，包括LF353系列，它们设计用于运算放大器产品，包装如数据表注释所示，用于管中，提供单位重量功能，如0.002561盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及BiFET技术，该器件也可以用作2信道数信道。此外，放大器类型为宽带放大器，该设备提供无关机关机模式，其最大工作温度范围为+70 C，最小工作温度范围0 C，工作电源电流为6.5 mA，电源电压最大值为36 V，电源电压最小值为7 V，封装盒为SOIC-8，Ib输入偏置电流为200 pA，Vos输入偏置电压为10mV，Vcm共模电压为负轨+4V至正轨-4V，共模抑制比为70dB，GBP增益带宽乘积为3MHz，SR转换率为13V/us，输入电压噪声密度为18nV/sqrt Hz，输入噪声电流密度为0.01pA/sqrt Hz；最大双电源电压为+/-18V，最小双电源电压为+/-3.5 V。
LF353DG4是IC OPAMP JFET 3MHZ 8SOIC，包括10 mV Vos输入偏置电压，设计用于负轨+4 V至正轨-4 V Vcm共模电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002561盎司，提供BiFET等技术功能，电源电压最小值设计为7 V，以及36 V电源电压最大值，该设备也可以用作13V/us SR转换速率。此外，关机为无关机，该设备为LF353系列，该设备具有产品运算放大器，包装为管式，封装外壳为SOIC-8，工作电源电流为6.5mA，通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为0 C，最小双电源电压为+/-3.5V，它的最大工作温度范围为+70℃，最大双电源电压为+/-18 V，输入噪声电流密度为0.01 pA/sqrt Hz，Ib输入偏置电流为200 pA，GBP增益带宽积为3 MHz，输入电压噪声密度为18 nV/sqrt Hz；共模抑制比为70 dB，放大器类型为宽带放大器。
LF353CN，带有NS制造的电路图。LF353CN采用DIP封装，是IC芯片的一部分。
