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CV201210-R56K是FIXED IND 560NH 150MA 750 MOHM，包括CV201210系列，它们设计用于RF电感器产品，类型如数据表注释所示，用于多层，提供胶带和卷轴（TR）等包装功能，单位重量设计为0.000194盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可用于150MA额定电流。此外，终端类型为SMD/SMT，其工作温度范围为-55℃至+125℃，设备高度为1.25 mm，长度为2 mm，宽度为1.25 mm；包装箱为0805（2012公制），其工作范围为-555℃至125℃，安装类型为表面安装，尺寸尺寸为0.079“L x 0.049”W（2.00mm x 1.25mm），公差为±10%，最大就座高度为0.057英寸（1.45mm），屏蔽为屏蔽，测试频率为25 MHz，电感为560nH，直流电阻DCR为750 mOhm Max，材料芯为铁氧体，Q频率为25@25MHz，频率自谐振为115MHz，频率测试为25MHz，最大直流电流为150 mA，最大直流电阻为750 mOhm，自谐振频率为115 MHz，芯材料为铁氧体，Q最小值为25。
CV201210-R82K是固定IND 820NH 150MA 1 OHM SMD，包括1.25 mm宽，设计用于0.000194 oz单位重量的操作，类型如数据表注释所示，用于多层，具有±10%的公差特性，终端样式设计用于SMD/SMT，以及0.079“L x 0.049”W（2.00mm x 1.25mm）尺寸尺寸，该设备也可以用作屏蔽屏蔽。此外，该系列为CV201210，该器件以25@25MHz Q频率提供，该器件具有产品射频电感器，包装为磁带和卷轴（TR），包装箱为0805（2012公制），其工作温度范围为-55°C~125°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最大直流电阻为20 mOhms，材料芯为铁氧体，长度为2mm，电感为820nH，最大高度为0.057英寸（1.45mm），高度为1.25mm，频率测试为25MHz，频率自谐振为100MHz，直流电阻DCR为1欧姆，额定电流为150mA。
CV201210-R68K是固定IND 680NH 150MA 800 MOHM，包括150MA额定电流，设计用于800 MOHM最大直流电阻DCR，频率自谐振如数据表注释所示，用于105MHz，提供频率测试功能，如25MHz，Height Seated Max设计用于0.057英寸（1.45mm）的工作环境，以及680nH的电感，该设备也可以用作铁氧体材料芯。此外，安装类型为表面安装，其工作温度范围为-55°C~125°C，该设备具有0805（2012公制）的包装箱，包装为磁带和卷轴（TR），Q频率为25@25MHz，系列为CV201210，屏蔽为屏蔽，尺寸尺寸为0.079“L x 0.049”W（2.00mm x 1.25mm），公差为±10%，类型为多层。
CV210-1，带有WJ制造的EDA/CAD模型。CV210-1采用QFN28封装，是IC芯片的一部分。
