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TLV271CDBVT是集成电路OPAMP GP 3MHZ RRO SOT23-5，包括TLV271系列，它们设计用于运算放大器产品，包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供单位重量功能，如0.000459盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及CMOS技术，该设备也可以用作轨道到轨道输出类型。此外，信道数为1信道，该设备为轨对轨运算放大器放大器类型，该设备具有无关机功能，最大工作温度范围为+70 C，最小工作温度范围0 C，工作电源电流为550 uA，电源电压最大值为16 V，电源电压最小值为2.7 V，封装情况为SOT-23-5，Ib输入偏置电流为60pA，Vos输入偏置电压为500uV，PSRR电源抑制比为70dB，Vcm共模电压为负轨对正轨-1.35V，每通道输出电流为13mA，CMRR共模抑制比为62dB，GBP增益带宽积为3MHz，SR转换率为2.5V/us，输入电压噪声密度为39nV/sqrt Hz，输入噪声电流密度为0.0006pA/sqrt Hz；最大双电源电压为8V，最小双电源电压是1.35V。
TLV271CDR是集成电路OPAMP GP 3MHZ RRO 8SOIC，包括5 mV Vos输入偏置电压，它们设计为在0.002561 oz单位重量下工作，THD加噪声显示在数据表注释中，用于0.5%，提供CMOS等技术特性，电源电压最小值设计为2.7 V，以及16 V电源电压最大值，该设备也可以用作2.6V/us SR转换速率。此外，关机为无关机，该设备为TLV271系列，该设备具有70 dB的PSRR电源抑制比，产品为精密放大器，Pd功耗为710 mW，包装为卷轴式，封装外壳为SOIC-8，输出类型为轨对轨，每个通道的输出电流为13 mA，工作电源电流为625 uA，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为0℃，最大工作温度范围+70℃，Ios输入偏置电流为60 pA，输入噪声电流密度为0.6 fA/sqrt Hz，Ib输入偏置电流是60 pA和GBP增益带宽积为3 MHz，输入电压噪声密度为35nV/sqrt Hz，共模抑制比为65dB，放大器类型为轨对轨放大器。
TLV271CDRG4是TI制造的IC OPAMP GP 3MHZ RRO 8SOIC。TLV271CDR G4采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是线性放大器-仪表、运算放大器、缓冲放大器的一部分，并支持IC OPAMP GP3MHZ RRO8SOIC、CMOS放大器1电路轨对轨8-SOIC、运算放大器单GP R-R O/P±8V/16V 8引脚SOIC T/R。
