EMB1412MYE/NOPB MOSFET栅极驱动器在8引脚暴露焊盘VSSOP封装中提供高峰值栅极驱动电流，并改善了高频操作所需的功耗。复合输出驱动器级包括并联操作的MOS和双极晶体管，它们一起从电容负载吸收超过7-A的峰值。结合MOS和双极器件的独特特性，减少了驱动电流随电压和温度的变化。提供欠压锁定保护以防止由于栅极导通电压不足而损坏MOSFET。EMB1412MYE/NOPB提供反相和非反相输入，以满足单个器件类型的反相和非反转栅极驱动的要求。
特色
- 复合CMOS和双极输出减少输出电流变化
- 7 A漏极/3 A源极电流
- 快速传播时间（典型25 ns）
- 快速上升和下降时间（14 ns/12 ns上升-下降，2 nF负载）
- 反相输入和非反相输入提供单一设备的任一配置
- 供电轨欠压锁定保护
- 分开供电或单电源操作的专用输入接地（IN_REF）
- 热增强8引脚VSSOP封装
- 从VCC到VEE的输出摆动，相对于输入接地可能为负
EMB1412MOSFET栅极驱动器在8引线暴露焊盘VSSOP封装中提供高峰值栅极驱动电流，并改善了高频操作所需的功耗。复合输出驱动器级包括并联操作的MOS和双极晶体管，它们一起从电容负载吸收超过7-A的峰值。结合MOS和双极器件的独特特性，减少了驱动电流随电压和温度的变化。提供欠压锁定保护以防止由于栅极导通电压不足而损坏MOSFET。EMB1412提供反相和非反相输入，以满足单个器件类型的反相和非反转栅极驱动的要求。
