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NE5534DG是IC OPAMP GP 10MHZ 8SOIC，包括NE5534系列，它们设计用于操作运算放大器产品，包装如数据表注释所示，用于管中，提供单位重量功能，如0.019048盎司，安装方式设计用于SMD/SMT，以及双极技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，放大器类型为低噪声放大器，该设备在无停机停机时提供，其最大工作温度范围为+70 C，最小工作温度范围0 C，工作电源电流为8 mA，封装外壳为SOIC-8，Ib输入偏置电流为2 uA，Vos输入偏置电压为4 mV，PSRR电源抑制比为100 dB，Vcm共模电压为负轨+3 V至正轨-3 V，每个通道的输出电流为38 mA，CMRR共模抑制比为70 dB，GBP增益带宽积为10 MHz，SR转换率为13 V/us，输入电压噪声密度为7 nV/sqrt Hz，输入噪声电流密度为2.5 pA/sqrt Hz，最大双电源电压为+/-20 V，最小双电源电压+/-3 V。
NE5534DR2G是IC OPAMP GP 10MHZ 8SOIC，包括4 mV Vos输入偏置电压，它们设计为在负轨+3 V到正轨-3 V Vcm共模电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.019048盎司，提供双极性、SR转换率等技术特性，该设备也可以用作NE5534系列。此外，PSRR电源抑制比为100 dB，该器件在运算放大器产品中提供，该器件具有一卷封装，封装外壳为SOIC-8，每个通道的输出电流为38 mA，工作电源电流为8 mA，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为0 C，最小双电源电压为+/-3 V，最大工作温度范围为+70 C，最大双电源电压+/-20 V，输入噪声电流密度为2.5 pA/sqrt Hz，Ib输入偏置电流为2 uA，GBP增益带宽积为10 MHz，输入电压噪声密度为4 nV/sqrt Hz；共模抑制比为70 dB，放大器类型为低噪声放大器。
NE5534DR是IC OPAMP GP 10MHZ 8SOIC，包括低噪声放大器类型，它们设计为以100 dB共模抑制比工作，输入电压噪声密度如数据表注释所示，用于3.5 nV/sqrt Hz，提供GBP增益带宽产品特性，如10 MHz，Ib输入偏置电流设计为工作在1.5 uA，除了2.5 pA/sqrt Hz输入噪声电流密度外，该器件还可以用作+/-15 V最大双电源电压，其最大工作温度范围为+70 C，该器件提供+/-5 V最小双电源电压、最小工作温度范围0 C，安装类型为SMD/SMT，通道数为1通道，工作电源电流为4 mA，每个通道的输出电流为38 mA，封装外壳为SOIC-8，封装为卷轴，产品为运算放大器，系列为NE5534，关机为无关机，SR转换率为13 V/us，电源电压最大值为30 V，电源电压最小值为10 V，技术为双极，单位重量为0.002561盎司，Vos输入偏置电压为4mV。
