该器件在高达10nF的电容负载下是稳定的，尽管在这种高负载水平下，6-MHz带宽降低到1.8MHz。因此，TLE2142适用于长电缆的低下垂采样和保持以及直接缓冲，包括4 mA至20 mA电流回路。
该特殊设计还表现出对固有集成电路组件失配的改进的不敏感性，这一点可以通过500μV的最大偏置电压和1.7μV/°C的典型漂移来证明。最小共模抑制比和电源电压抑制比分别为85 dB和90 dB。
在±2-V至±22-V范围内，设备性能相对独立于电源电压。输入可以在VCC––0.3 V至VCC+–1.8 V之间工作，而不会引起相位反转，尽管超出较低共模输入范围的每个输入可能会流出过多的输入电流。在轻电流负载条件下，全npn输出级提供VCC–+0.1 V至VCC+–1 V的几乎轨对轨输出摆动。由于输出电流受到内部限制，该设备可以承受对任一电源的短路，但必须小心确保不超过最大封装功耗。
TLE2142也可以用作比较器。可以在不损坏设备的情况下保持VCC±的差分输入。TTL供电电平的开环传播延迟通常为200ns。当设备被驱动超过建议的输出摆动极限时，这可以很好地指示输出级饱和恢复。
TLE2142器件采用工业标准8引脚小外形（D）封装。该设备的特点是在-40°C至125°C的温度范围内运行。
特色
- 具备汽车应用资格
- 低噪声
- 10Hz:15nV//100pF负载适用于快速致动器/定位驱动器。在类似的试验条件下，达到0.01%的沉降时间为400ns。
该器件在高达10nF的电容负载下是稳定的，尽管在这种高负载水平下，6-MHz带宽降低到1.8MHz。因此，TLE2142适用于长电缆的低下垂采样和保持以及直接缓冲，包括4 mA至20 mA电流回路。
该特殊设计还表现出对固有集成电路组件失配的改进的不敏感性，这一点可以通过500μV的最大偏置电压和1.7μV/°C的典型漂移来证明。最小共模抑制比和电源电压抑制比分别为85 dB和90 dB。
在±2-V至±22-V范围内，设备性能相对独立于电源电压。输入可以在VCC––0.3 V至VCC+–1.8 V之间工作，而不会引起相位反转，尽管超出较低共模输入范围的每个输入可能会流出过多的输入电流。在轻电流负载条件下，全npn输出级提供VCC–+0.1 V至VCC+–1 V的几乎轨对轨输出摆动。由于输出电流受到内部限制，该设备可以承受对任一电源的短路，但必须小心确保不超过最大封装功耗。
TLE2142也可以用作比较器。可以在不损坏设备的情况下保持VCC±的差分输入。TTL供电电平的开环传播延迟通常为200ns。当设备被驱动超过建议的输出摆动极限时，这可以很好地指示输出级饱和恢复。
TLE2142器件采用工业标准8引脚小外形（D）封装。该设备的特点是在-40°C至125°C的温度范围内运行。
- 10Hz:15nV//100pF负载适用于快速致动器/定位驱动器。在类似的试验条件下，达到0.01%的沉降时间为400ns。
