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LF356M/NOPB是IC OPAMP JFET 5MHZ 8SOIC，包括LF356系列，它们设计用于操作运算放大器产品，包装如数据表注释所示，用于管中，提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及BiFET技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，关机为无关机，其最大工作温度范围为+70℃，最小工作温度范围0℃，工作电源电流为10 mA，电源电压最大值为36 V，电源电压最小值为10 V，封装外壳为SOIC窄-8，在+/-15 V时Ib输入偏置电流为0.0002 uA，Vos输入偏置电压为10 mV，PSRR电源抑制比为80 dB，Vcm共模电压为10 V至36 V，CMRR共模抑制比为80dB，GBP增益带宽积为5 MHz，SR转换率为12 V/us，输入电压噪声密度为15 nV/sqrt Hz（+/-15 V），输入噪声电流密度为0.01 pA/sqrt Hz，最大双电源电压为+/-18 V，最小双电源电压为+/-5V。
LF356M是运算放大器-运算放大器JFET输入运算放大器，包括10mV Vos输入偏置电压，它们设计为在0.006596盎司单位重量下工作。数据表中显示了用于BiFET的技术，该BiFET提供最小电源电压功能，如10V，最大电源电压设计为36V，以及12V/us SR转换率，该设备也可以用作无关机关机。此外，该系列为LF356，该器件提供80 dB PSRR电源抑制比，该器件具有产品运算放大器，封装为管，封装外壳为SOIC窄-8，工作电源电流为10 mA，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为0 C，最小双电源电压为+/-5 V，其最大工作温度范围为+70 C，最大双电源电压+/-18 V，输入噪声电流密度为0.01 pA/sqrt Hz，输入偏置电流为0.0002 uA（+/-15 V），GBP增益带宽积为5 MHz，输入电压噪声密度为15 nV/sqrt Hz（+/-15伏），CMRR共模抑制比为80dB。
LF356MX是集成电路OPAMP JFET 5MHZ 8SOIC，包括80 dB共模抑制比，设计用于在+/-15 V输入电压噪声密度下以15 nV/sqrt Hz工作，GBP增益带宽产品如数据表注释所示，用于5 MHz，提供Ib输入偏置电流特性，例如+/-15 V时0.0002 uA，在输入噪声电流密度设计为工作在0.01 pA/sqrt Hz，以及+/-18 V最大双电源电压下，其最大工作温度范围为+70 C，工作电源电流为10mA，封装外壳为SOIC窄-8，封装为卷轴式，产品为运算放大器，PSRR电源抑制比为80dB，系列为LF356，关机为无关机，SR转换率为12V/us，电源电压最大值为36V，电源电压最小值为10V，技术为BiFET，单位重量为0.006596盎司，Vos输入偏置电压为10mV。
