起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 19.93642 | 19.93642 |
| 250+ | 7.72444 | 1931.11100 |
| 500+ | 7.45119 | 3725.59950 |
| 1000+ | 7.31457 | 7314.57600 |
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低输入偏置电压：40μV，最大。
低偏移漂移：150 nV/°C，最大。
输入偏置电流：250 pA，最大。
静态电流：20μA，每个放大器典型值
单电源范围：+1.8 V至+5.5 V
低输入偏置电压：8μV，最大。
低偏移TC：0.075μV/°C，最大。
输入偏置电流：300 pA，最大。
静态电流：18μA，典型
宽电源范围：1.8 V至5.5 V
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | ISL29120IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥122.53535 |
 | ISL29124IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-VFDFN 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥20.39467 |
 | ISL29125IROZ-T7A | 瑞萨电子 (Renesas) | 输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-WFDFN Module 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥458.58865 |
 | ISL29125IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 输出: IOC 电源电压: 2.25 V ~ 3.63 V 最大供电电流: 85A @ 3V 分辨率（比特）: 16 b 包装/外壳: 6-WFDFN Module 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥44.0087 |
 | ISL29035IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 工作波长: 550nm 电源电压: 2.25伏~3.63伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WFDFN | ¥8.7965 |
 | ISL29101IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: 电压 工作波长: 550nm 电源电压: 1.8伏~3.3伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad | ¥21.00441 |
 | ISL76671AROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: 电压 工作波长: 550nm 电源电压: 1.8V~3V 工作温度: -40摄氏度~105摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad | ¥9.51105 |
 | ISL29033IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 工作波长: 550nm 电源电压: 2.25伏~3.63伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad | ¥20.54597 |
 | ISL29020IROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 工作波长: 540nm 电源电压: 2.25伏~3.3伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad | ¥28.10245 |
 | ISL29030AIROZ-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 电源电压: 2.25伏~3.63伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 8-VFDFN Exposed Pad | ¥36.76205 |
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
