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LMV358IDR2G

  • 描述:放大器的种类: 互补型金属氧化物半导体 电线数量: two 增益带宽积: 1兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度(TA) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2500

数量 单价 合计
2500+ 1.78334 4458.36750
  • 库存: 0
  • 单价: ¥1.60213
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4,458.37
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 电线数量 two
  • 3db 频段宽度 -
  • 输出类别 轨至轨
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 增益带宽积 1兆赫
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 最小电源电压 2.7伏
  • 最大电源电压 5.5 V
  • 压摆率 1V/s
  • 电压输入偏移 1.7 mV
  • 输出电流 / 通道 160毫安
  • 放大器的种类 互补型金属氧化物半导体
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 工作电流 210A (x2 Channels)
  • 电流输入偏置 1 nA

LMV358IDR2G 产品详情

这个LMV358IDR是具有轨对轨输出摆动的单、双和四路低压(2.7V至5.5V)运算放大器。LMV324S设备是标准LMV324设备的变体,它包括一个节能关闭功能,当不需要放大器时,该功能可以减少电源电流。

这个LMV358IDR是最具成本效益的解决方案,适用于需要低电压操作、节省空间和低成本的应用。这些放大器专为低电压(2.7 V至5 V)操作而设计,性能规格满足或超过LM358和LM324器件,其工作电压为5 V至30 V。LMV3xx器件的其他特点是共模输入电压范围,包括接地、1 MHz单位增益带宽和1 V/μs转换速率。

LMV321器件采用超小型封装,尺寸约为DBV(SOT-23)封装的一半。这种封装节省了印刷电路板上的空间,并使小型便携式电子设备的设计成为可能。它还允许设计者将设备放置在更靠近信号源的位置,以减少噪声拾取并提高信号完整性。


LMV358IDR低压轨对轨输出运算放大器特性描述

1.LMV358IDR工作电压

-40°C至125°C。

2单位增益带宽

1-MHz单位增益带宽。

3回转率

1-V/μs转换速率。

4设备功能模式

5.下载LMV358IDR数据表

特色

  • 2.7V和5-V性能
  • -40°C至125°C操作
  • 低功率关机模式(LMV324S)
  • 无交叉失真
  • 低电源电流
    • LMV321:130μA典型值
    • LMV358:210μA典型值
    • LMV324:410μA典型值
    • LMV324S:410μA典型值
  • 轨对轨输出摆动
  • ESD保护超过JESD 22
    • 2000-V人体模型
    • 1000V带电装置型号
描述

LMV321、LMV358、LMV324和LMV324S器件是单、双和四路低电压(2.7 V至5.5 V)运算放大器,具有轨对轨输出摆动。对于需要低电压操作、节省空间和低成本的应用,这些设备是最具成本效益的解决方案。这些放大器专为低压(2.7V至5V)操作而设计,性能规格满足或超过LM358和LM324器件,其工作电压为5V至30V。由于封装尺寸小于DBV(SOT-23)封装尺寸的一半,这些器件可用于各种应用。


LMV358IDR2G所属分类:仪表/运算/缓冲放大器,LMV358IDR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。LMV358IDR2G价格参考¥1.602129,你可以下载 LMV358IDR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询LMV358IDR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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